[发明专利]激光退火方法和阵列基板

权利要求书

1.一种激光退火方法，其特征在于，所述方法包括：

提供衬底基板，所述衬底基板上设置有至少一个非晶硅图案；

在所述至少一个非晶硅图案远离所述衬底基板的一侧设置掩膜组件，所述掩膜组件包括掩膜板和微透镜阵列；

通过激光光源从所述掩膜组件远离所述非晶硅图案的一侧照射所述掩膜组件，所述激光光源发出的激光透过所述掩膜组件中的掩膜板和微透镜阵列后照射在所述至少一个非晶硅图案的指定区域，以对所述至少一个非晶硅图案的指定区域进行退火；

所述通过激光光源从所述掩膜组件远离所述非晶硅图案的一侧照射所述掩膜组件之前，所述方法还包括：

根据每个所述非晶硅图案的电学特性，确定每个所述非晶硅图案对应的指定区域，其中，所述非晶硅图案对应的指定区域的面积与所述非晶硅图案的厚度负相关。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述指定区域为所述非晶硅图案上的一个连续区域。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述指定区域包括多个不连续的子区域。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，每个所述子区域的最大长度小于或等于指定晶粒的最小长度，或者，所述每个所述子区域的最大长度小于或等于500纳米。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述衬底基板上还设置有源极和漏极，所述非晶硅图案位于所述源极和所述漏极之间，

所述多个不连续的子区域为多个不连续的条状子区域，所述源极和所述漏极的连线的长度方向与每个所述条状子区域的长度方向平行。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜组件中，所述掩膜板位于所述微透镜阵列靠近所述激光光源的一侧。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光光源发出的激光的波长小于或等于248纳米。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述激光光源为氟化氪准分子激光器。

9.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括多个有源层，所述多个有源层包括通过权利要求1至8任一所述方法进行退火后得到的有源层。