[发明专利]图案化结构的制作方法有效
| 申请号： | 201910001194.X | 申请日： | 2019-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN111403269B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 张峰溢;李甫哲 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种图案化结构的制作方法，其包括下列步骤：在材料层上形成图案转移层。图案转移层形成于第一区与第二区之上。在图案转移层上形成多个第一图案。形成掩模层，且掩模层的第一部分覆盖第一区之上的第一图案。形成第一盖层覆盖掩模层的第一部分与第二区之上的第一图案。移除覆盖掩模层的第一部分的第一盖层，以暴露出掩模层的第一部分。移除掩模层的第一部分。在移除掩模层的第一部分之后，以第一区之上的第一图案为掩模对图案转移层进行第一蚀刻制作工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
