[发明专利]图案化结构的制作方法

说明书

本发明公开一种图案化结构的制作方法，其包括下列步骤：在材料层上形成图案转移层。图案转移层形成于第一区与第二区之上。在图案转移层上形成多个第一图案。形成掩模层，且掩模层的第一部分覆盖第一区之上的第一图案。形成第一盖层覆盖掩模层的第一部分与第二区之上的第一图案。移除覆盖掩模层的第一部分的第一盖层，以暴露出掩模层的第一部分。移除掩模层的第一部分。在移除掩模层的第一部分之后，以第一区之上的第一图案为掩模对图案转移层进行第一蚀刻制作工艺。

技术领域

本发明涉及一种图案化结构的制作方法，尤其是涉及一种利用图案转移层以及蚀刻制作工艺来形成图案化结构的制作方法。

背景技术

集成电路(integrated circuit，IC)是通过形成于基底或不同膜层中的图案化特征(feature)构成的元件装置以及内连线结构所建构。在IC的制作过程中，光刻(photolithography)制作工艺为一不可或缺的技术，其主要是将所设计的图案，例如电路布局图案形成于一个或多个光掩模上，然后再通过曝光(exposure)与显影(development)步骤将光掩模上的图案转移至一膜层上的光致抗蚀剂层内，以将此复杂的布局图案精确地转移至半导体芯片上。

随着半导体产业的微型化发展以及半导体制作技术的进步，现有作为广用技术的曝光技术已逐渐接近其极限。因此，目前业界也开发出多重曝光光刻技术来制作更微型化的半导体元件结构。然而，由于所需形成的半导体元件中的图案化结构的密度不断增加，多重曝光光刻技术也面临许多制作工艺上的相关问题须克服，由此提升制作工艺良率。

发明内容

本发明提供了一种图案化结构的制作方法，利用掩模层先覆盖要进行蚀刻制作工艺的第一区上的第一图案，并形成第一盖层覆盖掩模层以及第二区上的第一图案，然后将第一区上的第一盖层以及掩模层移除之后，再以第一区上的第一图案为掩模进行蚀刻制作工艺。通过本发明的制作方法，可避免当仅对不进行蚀刻制作工艺的第二区上形成掩模层时，在第一区上的第一图案之间造成掩模层的材料残留而对于第一区上所进行的蚀刻制作工艺造成负面影响，故可达到改善生产良率的效果。

本发明的一实施例提供一种图案化结构的制作方法，包括下列步骤。首先，在一材料层上形成一图案转移层。一第一区以及一第二区定义于材料层上，且图案转移层形成于第一区与第二区之上。在图案转移层上形成多个第一图案，而第一图案形成于第一区与第二区之上。形成一掩模层，掩模层的一第一部分覆盖第一区之上的多个第一图案。形成一第一盖层，第一盖层覆盖位于第一区之上的掩模层的第一部分以及位于第二区之上的多个第一图案。移除覆盖掩模层的第一部分的第一盖层，用以暴露出位于第一区之上的掩模层的第一部分。移除掩模层的第一部分。在移除掩模层的第一部分之后，以位于第一区之上的多个第一图案为掩模对图案转移层进行一第一蚀刻制作工艺。

附图说明

图1至图11为本发明第一实施例的图案化结构的制作方法的示意图，其中

图2为对应图1状况的上视示意图；

图3为图1之后的状况示意图；

图4为对应图2状况的上视示意图；

图5为图3之后的状况示意图；

图6为图5之后的状况示意图；

图7为图6之后的状况示意图；

图8为图7之后的状况示意图；

图9为图8之后的状况示意图；

图10为图9之后的状况示意图；

图11为图10之后的状况示意图；

图12至图15为本发明第二实施例的图案化结构的制作方法的示意图，其中

图13为图12之后的状况示意图；