[发明专利]图案化结构的制作方法

权利要求书

1.一种图案化结构的制作方法，包括：

在材料层上形成图案转移层，其中在该材料层上定义第一区以及第二区，且该图案转移层形成于该第一区与该第二区之上；

在该图案转移层上形成多个第一图案，其中该多个第一图案形成于该第一区与该第二区之上；

形成掩模层，其中该掩模层的第一部分覆盖该第一区之上的该多个第一图案；

形成第一盖层，该第一盖层覆盖位于该第一区之上的该掩模层的该第一部分以及位于该第二区之上的该多个第一图案；

移除覆盖该掩模层的该第一部分的该第一盖层，用以暴露出位于该第一区之上的该掩模层的该第一部分；

移除该掩模层的该第一部分；以及

在移除该掩模层的该第一部分之后，以位于该第一区之上的该多个第一图案为掩模对该图案转移层进行第一蚀刻制作工艺，

其中在移除该掩模层的该第一部分时，该第二区之上的该图案转移层被该第一盖层以及该第二区之上的该多个第一图案覆盖。

2.如权利要求1所述的图案化结构的制作方法，其中于该第一蚀刻制作工艺之后，该第二区之上的该图案转移层被该第一盖层以及该第二区之上的该多个第一图案覆盖。

3.如权利要求1所述的图案化结构的制作方法，其中该掩模层的第二部分形成于该第二区之上的该多个第一图案之间，且在移除该掩模层的该第一部分时，该掩模层的该第二部分被该第一盖层覆盖。

4.如权利要求3所述的图案化结构的制作方法，其中在该第一蚀刻制作工艺之后，该第二区之上的该图案转移层被该掩模层的该第二部分以及该第二区之上的该多个第一图案覆盖。

5.如权利要求3所述的图案化结构的制作方法，其中该掩模层包括图案化光致抗蚀剂层，且该掩模层的该第二部分包括光致抗蚀剂残余物。

6.如权利要求3所述的图案化结构的制作方法，其中该掩模层的该第二部分的上表面于该材料层的一厚度方向上低于该掩模层的该第一部分的上表面。

7.如权利要求6所述的图案化结构的制作方法，其中该掩模层的该第二部分的该上表面于该材料层的该厚度方向上低于各该第一图案的一上表面。

8.如权利要求1所述的图案化结构的制作方法，其中该第一区之上的该图案转移层被该第一蚀刻制作工艺图案化而成为多个转移图案，且该图案化结构的该制作方法还包括：

以该转移图案以及该第二区之上的该图案转移层为掩模对该材料层进行第二蚀刻制作工艺。

9.如权利要求8所述的图案化结构的制作方法，还包括：

在该第一蚀刻制作工艺之后以及该第二蚀刻制作工艺之前，移除该多个第一图案以及该第一盖层。

10.如权利要求1所述的图案化结构的制作方法，还包括：

在移除覆盖该掩模层的该第一部分的该第一盖层之前，在该第一盖层上形成第二盖层，其中该第二盖层形成于该第一区与该第二区之上。

11.如权利要求10所述的图案化结构的制作方法，还包括：

在移除覆盖该掩模层的该第一部分的该第一盖层之前，移除该第一区之上的该第二盖层，用以暴露出该第一区之上的该第一盖层。

12.如权利要求11所述的图案化结构的制作方法，其中该第一区之上的该第二盖层被一对该第一区与该第二区之上的该第二盖层进行的一回蚀刻制作工艺移除。

13.如权利要求11所述的图案化结构的制作方法，其中在移除该第一区之上的该第二盖层之后，该第二盖层覆盖该第二区之上的该第一盖层的至少一部分。

14.如权利要求13所述的图案化结构的制作方法，还包括：

在该第一蚀刻制作工艺之前，移除该第二区之上的该第二盖层。