[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201880087810.1 | 申请日： | 2018-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN111656498A | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 津波大介 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/338 | 分类号： | H01L21/338;H01L29/778;H01L29/812 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 具有：源极电极(13)，其形成于半导体基板(11)的表面，通过处于欧姆接触的区域处的第一接触区域的源极电极(13a)和处于非欧姆接触等的接触的区域处的第二接触区域的源极电极(13b)这两者与半导体基板(11)接合；背面电极(16)，其形成于半导体基板(11)的背面；以及贯通孔(17)，在贯通孔(17)设置有将源极电极(13)的第二接触区域的源极电极(13b)与背面电极(16)连接的配线，由此，得到不仅能够提高耐腐蚀性，还能够降低泄漏电流，适于高频工作的可靠性高的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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