[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

具有：源极电极(13)，其形成于半导体基板(11)的表面，通过处于欧姆接触的区域处的第一接触区域的源极电极(13a)和处于非欧姆接触等的接触的区域处的第二接触区域的源极电极(13b)这两者与半导体基板(11)接合；背面电极(16)，其形成于半导体基板(11)的背面；以及贯通孔(17)，在贯通孔(17)设置有将源极电极(13)的第二接触区域的源极电极(13b)与背面电极(16)连接的配线，由此，得到不仅能够提高耐腐蚀性，还能够降低泄漏电流，适于高频工作的可靠性高的半导体装置。

技术领域

本发明涉及在半导体基板具有通路孔等构造的半导体装置以及其制造方法。

背景技术

就使用了基于氮化物半导体等化合物半导体的高电子迁移率晶体管(HEMT：HighElectron Mobility Transistor)的功率放大器而言，要求使晶体管在超过1GHz的高频下工作，因此提出了很多用于实现高频工作的晶体管构造。例如，在专利文献1中公开了一种晶体管，其通过在源极电极之下形成通路孔，使该源极电极与背面为相同电位，从而降低源极电感，提高高频特性。

就使用了氮化物半导体的功率放大器而言，通过将半导体从GaAs改为氮化物半导体，从而能够实现晶体管的高电压工作，实现功率放大器的高功率化，但随着功率的增加，不能忽略来自晶体管的发热，这成为功率放大器的进一步高功率化的课题。因此，在专利文献2中，提出了通过在半导体基板的背面形成金刚石而提高晶体管的散热性的构造。

专利文献1：日本特开平3-181138号公报(第2页左上栏第2行～第20行，图5)

专利文献2：日本特表2016-528744号公报(0016～0022段、图1)

发明内容

但是，通常如专利文献1记载的源极电极构造那样，使源极电极具有欧姆性，但欧姆性的源极电极的耐腐蚀性不充分，在制造时、制造后源极电极的一部分溶解，存在产生欧姆接触不良、电极浮置等问题的课题。

另外，专利文献2的晶体管构造由于在基板的背面形成有金刚石，因此散热性优异，但由于半导体基板的表面侧的源极电极和背面电极未经由通路孔连接，因此源极电极的电感高，所以难以在高频下工作。

本发明是为了解决上述那样的课题而提出的，其目的在于提供一种高耐腐蚀性、且适于高频工作的可靠性高的半导体装置以及其制造方法。

本发明所涉及的半导体装置的特征在于，具有：源极电极或者漏极电极，其形成于半导体基板的表面，通过第一接触区域和第二接触区域与所述半导体基板接合；背面电极，其形成于所述半导体基板的背面；以及贯通孔，在该贯通孔设置有将所述源极电极或者所述漏极电极的所述第二接触区域与所述背面电极连接的配线。

本发明所涉及的半导体装置的制造方法的特征在于，包含以下工序：在半导体基板的表面形成第一接触区域的源极电极或者漏极电极的图案之后，通过加热或者离子注入，使所述半导体基板与所述第一接触区域的源极电极或者漏极电极的图案接合，形成第一接触区域的源极电极或者漏极电极；与所述第一接触区域的源极电极或者漏极电极相接而形成第二接触区域的源极电极或者漏极电极的图案，形成第二接触区域的源极电极或者漏极电极；在所述半导体基板的所述第二接触区域的源极电极或者漏极电极的正下方形成将所述半导体基板贯通的贯通孔；以及在所述半导体基板的背面形成背面电极之后，经由所述贯通孔将所述第二接触区域的源极电极或者漏极电极与所述背面电极连接。

发明的效果

根据本发明，使得源极电极或者漏极电极在欧姆接触的第一接触区域和非欧姆接触等的第二接触区域这两者与半导体基板接合，由此能够得到可提高耐腐蚀性、适于高频工作的可靠性高的半导体装置。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式1所涉及的半导体装置的结构的剖面图。