[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

源极电极或者漏极电极，其形成于半导体基板的表面，通过作为欧姆接触区域的第一接触区域和作为非欧姆接触区域或者电阻值比所述欧姆接触区域高的接触区域的第二接触区域与所述半导体基板接合；

背面电极，其形成于所述半导体基板的背面；以及

贯通孔，在该贯通孔设置有将所述源极电极或者所述漏极电极的所述第二接触区域与所述背面电极连接的配线。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一接触区域的接触电阻值大于或等于1.0E-8Ωcm²且小于或等于1.0E-3Ωcm²。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体基板在绝缘基板的表面设置有半导体层。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

在所述源极电极或者所述漏极电极的具有所述第一接触区域的部分与具有所述第二接触区域的部分之间形成有保护膜。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述保护膜是离子化倾向比构成所述第一接触区域的金属低的膜。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述保护膜由氮化硅、氧化硅或者氧化铝的绝缘膜构成。

7.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述保护膜由钨、铂、金或者钯的金属膜构成。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体基板在与所述源极电极或者所述漏极电极的位置对应的背面的位置设置有凹部，在所述凹部的底部以及侧部，在所述半导体基板与所述背面电极之间形成有绝缘性的金刚石层。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

所述贯通孔被所述第二接触区域的源极电极或者漏极电极填埋。

10.根据权利要求8或9所述的半导体装置，其特征在于，

在所述绝缘性的金刚石层的与所述贯通孔对应的区域形成有导电性的金刚石层。

11.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含以下工序：

在半导体基板的表面形成第一接触区域的源极电极或者漏极电极的图案之后，通过加热或者离子注入，使所述半导体基板与所述第一接触区域的源极电极或者漏极电极的图案接合，形成第一接触区域的源极电极或者漏极电极；

与所述第一接触区域的源极电极或者漏极电极相接而形成第二接触区域的源极电极或者漏极电极的图案，形成第二接触区域的源极电极或者漏极电极；

在所述半导体基板的所述第二接触区域的源极电极或者漏极电极的正下方形成将所述半导体基板贯通的贯通孔；以及

在所述半导体基板的背面形成背面电极之后，经由所述贯通孔将所述第二接触区域的源极电极或者漏极电极与所述背面电极连接。

12.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，包含以下工序：

在形成所述第一接触区域的源极电极或者漏极电极之后，且在与所述第一接触区域的源极电极或者漏极电极相接而形成所述第二接触区域的源极电极或者漏极电极的图案之前，在所述第一接触区域的源极电极或者漏极电极与所述第二接触区域的源极电极或者漏极电极之间形成保护膜。

13.根据权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，包含以下工序：

在所述半导体基板的与所述第二接触区域的源极电极或者漏极电极的位置对应的背面的位置形成凹部；以及

在所述凹部的底部以及侧部，在所述半导体基板与所述背面电极之间形成绝缘性的金刚石层。

14.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，包含以下工序：

在所述绝缘性的金刚石层的与所述贯通孔对应的区域形成导电性的金刚石层。