[发明专利]针对关键尺寸控制在单一等离子体室中的原子层沉积和蚀刻在审
| 申请号： | 201880087023.7 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN111615742A | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 周翔;木村吉江;张杜明;许晨;加内什·乌帕德亚雅;米切尔·布鲁克斯 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/02;H01L21/033;C23C16/56;C23C16/455;C23C16/04;C23C16/50;C23C16/22 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明描述了使用集成式原子层沉积(ALD)和蚀刻处理来对衬底特征进行关键尺寸(CD)控制的方法和装置。方法包括：蚀刻以在衬底上形成特征掩模图案，该宽度小于待随后通过该特征掩模图案形成的结构的期望宽度；通过ALD保形地沉积钝化层，从而增加特征掩模图案的宽度到所述期望宽度，并蚀刻衬底的层至所需的深度以形成具有所述期望宽度的多个结构。 | ||
| 搜索关键词： | 针对 关键 尺寸 控制 单一 等离子体 中的 原子 沉积 蚀刻 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
