[发明专利]含有与NMOS平台垂直集成的PMOS平台的组合件，及形成集成组合件的方法

摘要

一些实施例包含具有CMOS层的组合件。所述CMOS层包含PMOS平台及NMOS平台，其中所述平台相对于彼此垂直偏移。所述PMOS平台具有彼此基本上相同的p沟道晶体管，且所述NMOS平台具有彼此基本上相同的n沟道晶体管。绝缘区域在所述PMOS平台与所述NMOS平台之间。所述CMOS层具有一或多个电路组件，所述电路组件包含所述n沟道晶体管中的一或多个，所述n沟道晶体管中的所述一或多个通过延伸穿过所述绝缘区域的一或多个导电互连件与所述p沟道晶体管中的一或多个耦合。一些实施例包含形成组合件以包括一或多个CMOS层的方法。