[发明专利]含有与NMOS平台垂直集成的PMOS平台的组合件，及形成集成组合件的方法

权利要求书

1.一种包括CMOS层的组合件，所述CMOS层包括：

PMOS平台，所述PMOS平台包括彼此基本上相同的多个p沟道晶体管；

NMOS平台，其包括彼此基本上相同的多个n沟道晶体管；所述NMOS平台相对于所述PMOS平台垂直偏移；

绝缘区域，其在所述PMOS平台与所述NMOS平台之间；且

所述CMOS具有一或多个电路组件，所述一或多个电路组件包含所述n沟道晶体管中的一或多个，所述n沟道晶体管通过延伸穿过所述绝缘区域的一或多个导电互连件与所述p沟道晶体管中的一或多个耦合。

2.根据权利要求1所述的组合件，其中所述PMOS平台为第一PMOS平台；其中所述p沟道晶体管为第一p沟道晶体管；且所述组合件包括从所述第一PMOS平台垂直偏移的第二PMOS平台，其中所述第二PMOS平台包括第二p沟道晶体管；其中：

所述NMOS平台在所述第一PMOS平台与所述第二PMOS平台之间；且

所述CMOS层的所述一或多个电路元件包含至少一个电路组件，所述至少一个电路组件具有至少一个n沟道晶体管、至少一个第一p沟道晶体管及至少一个第二p沟道晶体管。

3.根据权利要求2所述的组合件，其中所述第二p沟道晶体管与所述第一p沟道晶体管基本上相同。

4.根据权利要求2所述的组合件，其中所述第二p沟道晶体管与所述第一p沟道晶体管基本上不相同。

5.根据权利要求1所述的组合件，其中所述NMOS平台为第一NMOS平台；其中所述n沟道晶体管为第一n沟道晶体管；且所述组合件包括从所述第一NMOS平台垂直偏移的第二NMOS平台，其中所述第二NMOS平台包括第二n沟道晶体管；其中：

所述PMOS平台在所述第一NMOS平台与所述第二NMOS平台之间；且

所述CMOS层的所述一或多个电路元件包含至少一个电路组件，所述至少一个电路组件具有至少一个p沟道晶体管、至少一个第一n沟道晶体管及至少一个第二n沟道晶体管。

6.根据权利要求5所述的组合件，其中所述第二n沟道晶体管与所述第一n沟道晶体管基本上相同。

7.根据权利要求5所述的组合件，其中所述第二n沟道晶体管与所述第一n沟道晶体管基本上不相同。

8.根据权利要求1所述的组合件，其包括集成装置层，所述集成装置层从所述CMOS层垂直偏移，且具有与所述CMOS层的所述电路组件中的至少一个耦合的一或多个结构。

9.根据权利要求8所述的组合件，其中所述集成装置层包括传感器。

10.根据权利要求8所述的组合件，其中所述集成装置层包括存储器。

11.根据权利要求8所述的组合件，其中所述集成装置层在所述CMOS层上面。

12.根据权利要求8所述的组合件，其中所述集成装置层在所述CMOS层下面。

13.根据权利要求1所述的组合件，其包括在所述CMOS层下面的第一集成装置层及在所述CMOS层上面的第二集成装置层；其中所述第一集成装置层具有与所述CMOS层的所述第一电路组件中的第一个耦合的一或多个结构；且其中所述第二集成装置层具有与所述CMOS层的所述电路组件中的第二个耦合的一或多个结构。

14.根据权利要求1所述的组合件，其中所述CMOS层的所述一或多个电路组件包含传输通过门，所述传输通过门具有与所述n沟道晶体管不同数目个所述p沟道晶体管。

15.根据权利要求1所述的组合件，其中所述CMOS层的所述一或多个电路组件包含双输入“与非”电路。