[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201880083604.3 | 申请日： | 2018-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN111727506B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 涩川昭彦;前山雄介;中村俊一 | 申请（专利权）人： | 新电元工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 郁旦蓉 |
| 地址： | 日本国东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的半导体装置包括：由碳化硅构成的第一导电型的漂移层；形成在漂移层的一个主面上的接合区域；包含第二导电型掺杂物的结终端扩展区域；以及包含比结终端扩展区域更高浓度的第二导电型掺杂物的保护环区域，其特征在于：在结终端扩展区域中，第二导电型掺杂物的从一个主面向深度方向的浓度在从一个主面到达第一深度为止是上升的，一个主面处的第二导电型掺杂物的浓度小于等于第一深度处的第二导电型掺杂物的浓度的十分之一，且高于漂移层处的第一导电型掺杂物的浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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