[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

由碳化硅构成的第一导电型的漂移层；

形成在所述漂移层的一个主面上的接合区域；

在以平面观看所述漂移层的所述一个主面时形成在所述接合区域的外侧，并且包含与所述第一导电型相反的第二导电型掺杂物的结终端扩展区域；以及

在以平面观看所述漂移层的所述一个主面时形成在与所述结终端扩展区域相重叠的位置上，并且包含比所述结终端扩展区域更高浓度的第二导电型掺杂物的保护环区域，

其特征在于：

在所述结终端扩展区域中，

所述第二导电型掺杂物的从所述一个主面向深度方向的浓度在从所述一个主面直至到达第一深度为止是上升的，

所述一个主面处的所述第二导电型掺杂物的浓度小于等于所述第一深度处的所述第二导电型掺杂物的浓度的十分之一，且高于所述漂移层处的所述第一导电型掺杂物的浓度，

所述第二导电型掺杂物的从所述一个主面向深度方向的浓度分布具有两个峰值。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述半导体装置为肖特基二极管。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述半导体装置为MOSFET。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述半导体装置为IGBT。

5.一种半导体装置的制造方法，包含：

半导体基体准备工序，准备具备由碳化硅构成的第一导电型的漂移层的半导体基体；

接合区域形成工序，在所述漂移层的一个主面上形成接合区域；

结终端扩展区域形成工序，从所述一个主面一侧将与所述第一导电型掺相反的第二导电型掺杂物导入所述漂移层，从而在以平面观看所述一个主面时在所述接合区域的外侧形成结终端扩展区域；以及

保护环区域形成工序，从所述一个主面一侧将比所述结终端扩展区域更高浓度的所述第二导电型的掺杂物导入所述漂移层，从而在以平面观看所述一个主面时在与所述结终端扩展区域的一部分向重叠的位置上形成保护环区域，

其特征在于：

在所述结终端扩展区域中，形成所述结终端扩展区域，使：

所述第二导电型掺杂物的从所述一个主面向深度方向的浓度在从所述一个主面直至到达第一深度为止是上升的，

所述一个主面处的所述第二导电型掺杂物的浓度小于等于所述第一深度处的所述第二导电型掺杂物的浓度的十分之一，且高于所述漂移层处的所述第一导电型掺杂物的浓度，

所述第二导电型掺杂物的从所述一个主面向深度方向的浓度分布具有两个峰值。

6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，在所述保护环区域形成工序中，所述第二导电型掺杂物通过离子注入导入至所述漂移层。