[发明专利]具有带有轮廓化上表面的半导体材料区的半导体组合件；及利用蚀刻来轮廓化半导体材料的上表面而形成半导体组合件的方法

摘要

一些实施例包含一种具有第一半导体材料的区的集成组合件。所述区具有沿着横截面的上表面。所述上表面具有平顶峰及与所述平顶峰相邻的凹面。第二半导体材料的柱在所述区上方且直接抵靠所述区。所述柱从所述上表面垂直地延伸。一些实施例包含一种形成集成组合件的方法。形成具有半导体区且具有绝缘区的构造，所述绝缘区在所述半导体区上方及所述半导体区旁边延伸。利用三种蚀刻的组合来暴露所述半导体区的上表面且使所述半导体区的所述上表面改性以形成所述上表面以沿着横截面包含平顶峰部分及相邻凹面部分。