[发明专利]具有带有轮廓化上表面的半导体材料区的半导体组合件；及利用蚀刻来轮廓化半导体材料的上表面而形成半导体组合件的方法

权利要求书

1.一种集成组合件，其包括：

第一半导体材料的区；所述区具有沿着横截面的宽度；所述区具有沿着所述横截面的上表面，其中所述上表面具有沿着所述宽度的一个边缘的平顶峰，且具有与所述平顶峰相邻的凹面；及

第二半导体材料的柱，其在所述区上方且直接抵靠所述区；所述柱从所述上表面垂直地延伸。

2.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述宽度在从约到约的范围内；且其中从所述平顶峰的顶部到所述凹面的底部的距离在从约到约的范围内。

3.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述第一半导体材料及所述第二半导体材料经导电掺杂；其中第一数字线与所述第二半导体材料横向地相邻，且通过氮化硅的区与所述第二半导体材料横向地隔开；且其中电容器在所述第二半导体材料上方且通过包含所述第一半导体材料及所述第二半导体材料的导电路径与第二数字线门控地耦合。

4.根据权利要求3所述的集成组合件，其中所述第二半导体材料的部分延伸到所述氮化硅的所述区下方。

5.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述第一半导体材料包括硅。

6.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述第一半导体材料及所述第二半导体材料包括硅且在结晶度上彼此不同。

7.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述第一半导体材料及所述第二半导体材料包括相对于彼此不同的元素。

8.根据权利要求7所述的集成组合件，其中所述第一半导体材料包括硅，且其中所述第二半导体材料包括锗、III/V半导体材料及半导体氧化物中的一或多者。

9.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述第一半导体材料包括单晶硅。

10.根据权利要求9所述的集成组合件，其中所述第二半导体材料包括多晶硅。

11.一种集成组合件，其包括：

第一导电材料，其具有上表面，其中所述上表面包括第一部分及从所述第一部分向下凹入的第二部分；及

第二导电材料，其在所述第一导电材料上方，其中所述第二导电材料从所述第一导电材料的所述上表面的所述第一部分及所述第二部分垂直地延伸。

12.根据权利要求11所述的集成组合件，其中所述第一材料及所述第二材料中的每一者包括半导体材料。

13.根据权利要求11所述的集成组合件，其中所述第一导电材料的所述上表面的所述第一部分提供基本上平坦的表面，且所述第一导电材料的所述上表面的所述第二部分提供凹面表面。

14.根据权利要求11所述的集成组合件，其中所述第一导电材料用作存储器单元中的存取晶体管的源极区及漏极区中的一者，且所述第二导电材料介于所述第一导电材料与所述存储器单元中的电容器的下电极之间。