[发明专利]基板处理装置、基板处理方法和记录有执行基板处理方法的程序的存储介质有效
申请号: | 201880076270.7 | 申请日: | 2018-12-07 |
公开(公告)号: | CN111418043B | 公开(公告)日: | 2023-06-23 |
发明(设计)人: | 香川兴司;户岛孝之 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/306 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | [课题]从基板有效地去除该基板上的附着物(例如硬掩模)。[解决方案]基板处理方法包括如下工序:工序(A),向基板供给含有附着物的去除剂、具有比去除剂的沸点还低的沸点的溶剂和增稠剂的第1处理液;工序(B),在工序(A)后,向基板供给含有成为防气体扩散膜的有机聚合物的第2处理液;工序(C),在工序(B)后,将基板在溶剂的沸点以上且低于去除剂的沸点的规定温度下进行加热,促进溶剂的蒸发和附着物与去除剂的反应;和,工序(D),在工序(C)后,向基板供给冲洗液,从基板去除附着物。防气体扩散膜用来防止由工序(C)中的附着物与去除剂的反应而产生的气体状的反应性产物通过该防气体扩散膜并扩散至基板的周围。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 记录 执行 程序 存储 介质 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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