[发明专利]基板处理装置、基板处理方法和记录有执行基板处理方法的程序的存储介质

权利要求书

1.一种基板处理装置，其为用于从基板去除所述基板上的附着物的基板处理装置，

该基板处理装置具备去除处理部和控制部，

所述去除处理部具有：

第1处理液供给部，其向所述基板供给含有所述附着物的去除剂、具有比所述去除剂的沸点还低的沸点的溶剂和增稠剂的第1处理液；

第2处理液供给部，其向供给了所述第1处理液的基板供给用于形成防气体扩散膜的第2处理液；

基板加热部，其将供给了所述第2处理液的基板在所述溶剂的沸点以上且低于所述去除剂的沸点的规定温度下进行加热；和，

冲洗液供给部，其向所述基板供给冲洗液，

所述控制部以如下方式控制所述第1处理液供给部、所述第2处理液供给部、所述基板加热部和所述冲洗液供给部：所述第1处理液供给部向所述基板供给所述第1处理液，接着，所述第2处理液供给部向所述基板供给所述第2处理液，接着，所述基板加热部将所述基板在所述规定温度下进行加热，由此，促进所述溶剂的蒸发和所述附着物与所述去除剂的反应，接着，所述冲洗液供给部向所述基板供给所述冲洗液，由此，从所述基板去除所述附着物，

所述防气体扩散膜用来防止由所述附着物与所述去除剂的反应而产生的气体状的反应性产物扩散至所述基板的周围。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述防气体扩散膜含有有机聚合物。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述有机聚合物为苯酚聚合物或丙烯酸类聚合物。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其中，所述去除剂包含盐酸或四甲基铵。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理装置，其中，所述第1处理液供给部、所述第2处理液供给部、所述基板加热部和所述冲洗液供给部中的至少2者被收纳于相同的腔室内。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的基板处理装置，其中，所述附着物为蚀刻用硬掩模膜。

7.一种基板处理方法，其为从基板去除所述基板上的附着物的基板处理方法，所述基板处理方法包括如下工序：

工序(A)，向所述基板供给含有所述附着物的去除剂、具有比所述去除剂的沸点还低的沸点的溶剂和增稠剂的第1处理液；

工序(B)，在工序(A)后，向所述基板供给含有成为防气体扩散膜的有机聚合物的第2处理液；

工序(C)，在工序(B)后，将所述基板在所述溶剂的沸点以上且低于所述去除剂的沸点的规定温度下进行加热，促进所述溶剂的蒸发和所述附着物与所述去除剂的反应；和，

工序(D)，在工序(C)后，向所述基板供给冲洗液，从所述基板去除所述附着物，

所述防气体扩散膜用来防止由所述工序(C)中的所述附着物和所述去除剂的反应而产生的气体状的反应性产物扩散至所述基板的周围。

8.根据权利要求7所述的基板处理方法，其中，所述防气体扩散膜含有有机聚合物。

9.根据权利要求8所述的基板处理方法，其中，所述有机聚合物为苯酚聚合物或丙烯酸类聚合物。

10.根据权利要求7～9中任一项所述的基板处理方法，其中，所述去除剂包含盐酸或四甲基铵。

11.根据权利要求7～10中任一项所述的基板处理方法，其中，所述工序(A)～(D)中的至少2者在相同的腔室内执行。

12.根据权利要求7～11中任一项所述的基板处理方法，其中，所述附着物为蚀刻用硬掩模膜。

13.一种存储介质，其记录有如下程序：通过用于控制基板处理装置的动作的计算机而执行时，所述计算机控制所述基板处理装置，执行权利要求7～12中任一项所述的基板处理方法。