[发明专利]基板处理装置、基板处理方法和记录有执行基板处理方法的程序的存储介质

说明书

[课题]从基板有效地去除该基板上的附着物(例如硬掩模)。[解决方案]基板处理方法包括如下工序：工序(A)，向基板供给含有附着物的去除剂、具有比去除剂的沸点还低的沸点的溶剂和增稠剂的第1处理液；工序(B)，在工序(A)后，向基板供给含有成为防气体扩散膜的有机聚合物的第2处理液；工序(C)，在工序(B)后，将基板在溶剂的沸点以上且低于去除剂的沸点的规定温度下进行加热，促进溶剂的蒸发和附着物与去除剂的反应；和，工序(D)，在工序(C)后，向基板供给冲洗液，从基板去除附着物。防气体扩散膜用来防止由工序(C)中的附着物与去除剂的反应而产生的气体状的反应性产物通过该防气体扩散膜并扩散至基板的周围。

技术领域

本发明涉及：用于从基板去除该基板上的附着物的基板处理装置和基板处理方法、以及记录有执行该基板处理方法的程序的存储介质。

背景技术

半导体装置的制造工序中，进行了如下工序：对于形成在半导体晶圆等基板上的被蚀刻膜(例如层间绝缘膜、金属膜等)，使用抗蚀膜作为掩模材料进行蚀刻，图案化为规定的图案。

另一方面，近来，使用低介电常数膜(Low-k膜)作为层间绝缘膜的Cu多层布线技术受到关注，这样的Cu多层布线技术中，采用在Low-k膜中形成埋入布线槽或孔，并在其中埋入Cu的双镶嵌法。作为Low-k膜，大多使用有机系者，在蚀刻这样的有机系Low-k膜的情况下，无法充分获得与作为相同的有机膜的抗蚀膜的选择比，因此，将Ti膜、TiN膜等无机系的硬掩模膜作为蚀刻用的掩模材料使用。即，将抗蚀膜作为掩模材料，将硬掩模膜蚀刻成规定的图案，将蚀刻成规定图案的硬掩模膜作为掩模材料，对Low-k膜进行蚀刻。

必须去除在蚀刻后残留于基板上的抗蚀膜、硬掩模膜等不需要的附着物。对于这些不需要的附着物的去除，例如，使用单片式清洗装置，在旋转作为被处理基板的半导体晶圆的同时，向其中心连续地供给去除液，并利用离心力将去除液散布至半导体晶圆的整面的同时进行去除(例如专利文献1、专利文献2、专利文献3)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2004-146594号公报

专利文献2：日本特开2010-114210号公报

专利文献3：日本特开2013-207080号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明的目的在于，提供：从基板能有效地去除该基板上的附着物(例如抗蚀膜、硬涂膜等)的技术。

用于解决问题的方案

根据本发明的一实施方式，提供一种基板处理装置，其为从基板去除前述基板上的附着物的基板处理装置，其具备去除处理部和控制部，所述去除处理部具有：第1处理液供给部，其向前述基板供给含有前述附着物的去除剂、具有比前述去除剂的沸点还低的沸点的溶剂和增稠剂的第1处理液；第2处理液供给部，其向供给了前述第1处理液的基板供给用于形成防气体扩散膜的第2处理液；基板加热部，其将供给了前述第2处理液的基板在前述溶剂的沸点以上且低于前述去除剂的沸点的规定温度下进行加热；和，冲洗液供给部，其向前述基板供给冲洗液，所述控制部以如下方式控制前述第1处理液供给部、前述第2处理液供给部、前述基板加热部和前述冲洗液供给部：前述第1处理液供给部向前述基板供给前述第1处理液，接着，前述第2处理液供给部向前述基板供给前述第2处理液，接着，前述基板加热部将前述基板在前述规定温度下进行加热，由此，促进前述溶剂的蒸发和前述附着物与前述去除剂的反应，接着，前述冲洗液供给部向前述基板供给前述冲洗液，由此，从前述基板去除前述附着物，前述防气体扩散膜用来防止由前述附着物与前述去除剂的反应而产生的气体状的反应性产物扩散至前述基板的周围。