[发明专利]作为用于有机场效应晶体管的有机半导体用可溶性光裂解前体的DNTT锍盐及相关化合物有效
| 申请号： | 201880075361.9 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN111542528B | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 山户齐;津田拓哉;堂依伊织;法比安·尼科尔森 | 申请（专利权）人： | CLAP有限公司 |
| 主分类号： | C07D495/04 | 分类号： | C07D495/04;H01L29/772;H10K85/60 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 陈万青;李雪 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种包括半导体层的电子器件的制造工艺，该制造工艺包括：步骤i)，将包含至少一个化学式(1A)‑(1B)‑(1C)的化合物的组合物涂布于电子器件的前体上，以形成层；及步骤ii)，对上述步骤i)的层进行光处理，以形成半导体层，另外，本发明提供化学式1A、1B或1C的化合物、至少包括化学式1A、1B或1C的化合物的组合物及使用化学式1A、1B及1C的化合物中的至少一种作为有机半导体材料的光裂解前体的用途。 |
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| 搜索关键词： | 作为 用于 有机 场效应 晶体管 有机半导体 可溶性 裂解 dntt 相关 化合物 | ||
【主权项】：
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