[发明专利]作为用于有机场效应晶体管的有机半导体用可溶性光裂解前体的DNTT锍盐及相关化合物有效
| 申请号： | 201880075361.9 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN111542528B | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 山户齐;津田拓哉;堂依伊织;法比安·尼科尔森 | 申请（专利权）人： | CLAP有限公司 |
| 主分类号： | C07D495/04 | 分类号： | C07D495/04;H01L29/772;H10K85/60 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 陈万青;李雪 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 作为 用于 有机 场效应 晶体管 有机半导体 可溶性 裂解 dntt 相关 化合物 | ||
1.一种包括半导体层的电子器件的制造工艺，包括：
步骤i)，将包含下述化学式的化合物的组合物涂布于上述电子器件的前体上，以形成层；及
步骤ii)，对上述步骤i)的层进行光处理，以形成半导体层，
其中，
Ar1为苯基，上述苯基可被1个C3-20-烷基取代，
B为包括以*标示的C原子的C6-10芳环系，上述C6-10-芳环系可被1至3个C1-30-烷基取代基取代，
R10和R11与以@标示的C原子一起形成C6-14-芳环系，上述C6-14-芳环系可被1至2个C1-30-烷基取代基取代，以及
X-为有机或无机阴离子。
2.根据权利要求1所述的工艺，其中，上述电子器件为有机场效应晶体管。
3.根据权利要求1所述的工艺，其中，所述组合物还包括至少一种溶剂。
4.根据权利要求1所述的工艺，其中，上述光的波长在10至380nm范围内。
5.根据权利要求1所述的工艺，其中，在小于150℃的温度下进行上述电子器件的制造工艺的所有步骤。
6.一种下式的化合物
其中，
Ar1为苯基，上述苯基可被1个C3-20-烷基取代，
B为包括以*标示的C原子的C6-10芳环系，上述C6-10-芳环系可被1至3个C1-30-烷基取代基取代，
R10和R11与以@标示的C原子一起形成C6-14-芳环系，C6-14-芳环系可被1至2个C1-30-烷基取代基取代，
X-为有机或无机阴离子。
7.一种组合物，包括：
权利要求6所述的化合物中的至少一种；及
至少一种溶剂。
8.一种使用权利要6所述的化合物中的至少一种作为有机半导体材料的光裂解前体的用途。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于CLAP有限公司，未经CLAP有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880075361.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
