[发明专利]存储器阵列和形成存储器阵列的方法在审
申请号: | 201880073554.0 | 申请日: | 2018-12-03 |
公开(公告)号: | CN111344864A | 公开(公告)日: | 2020-06-26 |
发明(设计)人: | 金昌汉;C·E·卡特;C·史密斯;C·豪德;R·J·希尔;李杰 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/11578 | 分类号: | H01L27/11578;H01L27/1157 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一些实施例包括一种形成组件(例如,存储器阵列)的方法。通过交替的第一级和第二级的堆叠形成第一开口。第一级包含氮化硅,而第二级包含二氧化硅。用存储器单元结构代替第二级的一些二氧化硅。存储器单元结构包括与电荷阻挡区域相邻的电荷存储区域。在第一开口内形成隧穿材料,并且邻近隧穿材料形成沟道材料。穿过堆叠形成第二开口。第二开口延伸穿过二氧化硅的剩余部分,并延伸穿过氮化硅。去除二氧化硅的剩余部分以形成腔。在腔内形成导电区域。去除氮化硅以在导电区域之间形成空隙。一些实施例包括存储器阵列。 | ||
搜索关键词: | 存储器 阵列 形成 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司,未经美光科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201880073554.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:工程化的葡糖基转移酶
- 下一篇:标签及制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的