[发明专利]存储器阵列和形成存储器阵列的方法

权利要求书

1.一种存储器阵列，其包含：

交替的绝缘级和字线级的垂直堆叠；

沿着所述堆叠垂直延伸的沟道材料；

沿着所述字线级的导电段；所述导电段中的各个导电段沿着横截面具有彼此呈相对关系的第一端部和第二端部；所述导电段包含栅极和与所述栅极相邻的字线；所述字线包围所述第二端部并且所述栅极包围所述第一端部；

存储器单元结构，其沿着所述字线级并且位于所述栅极和所述沟道材料之间；所述存储器单元结构包括电荷存储区域和电荷阻挡区域；所述电荷阻挡区域在所述电荷存储区域和所述栅极之间；

空隙，其沿着所述绝缘级并且在垂直相邻的所述存储器单元结构之间；以及

绝缘衬里区域，其沿着所述字线级并且围绕所述导电段的所述第二端部延伸；所述绝缘衬里区域包含低密度二氧化硅。

2.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中垂直相邻的所述绝缘衬里区域彼此接合以密封所述空隙的端部。

3.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中垂直相邻的所述绝缘衬里区域沿着所述空隙的端部彼此垂直地隔开，以保留延伸到所述空隙的所述端部中的孔口；并且其中所述孔口填充有具有比所述绝缘衬里区域的所述二氧化硅更高密度的二氧化硅。

4.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述电荷阻挡区域包含氮氧化硅。

5.根据权利要求4所述的存储器阵列，其中高k电介质阻隔材料在所述栅极和所述电荷阻挡区域之间；并且其中所述高k电介质阻隔材料直接抵靠所述氮氧化硅。

6.根据权利要求4所述的存储器阵列，其中所述电荷阻挡区域包含直接抵靠所述氮氧化硅并且在所述氮氧化硅和所述电荷存储区域之间垂直延伸的二氧化硅。

7.一种组件，其包含：

用于传导电流的沟道；所述沟道包括第一沟道部分和在所述第一沟道部分下方的第二沟道部分；

第一存储器单元结构，其位于第一栅极和所述第一沟道部分之间；所述第一存储器单元结构包括第一电荷存储区域和第一电荷阻挡区域；所述第一电荷阻挡区域位于所述第一电荷存储区域和所述第一栅极之间；所述第一电荷阻挡区域包含氮氧化硅，并且所述第一电荷存储区域包含氮化硅；

第二存储器单元结构，其在所述第一存储器单元结构下方并且位于第二栅极和所述第二沟道部分之间；所述第二存储器单元结构包括第二电荷存储区域和第二电荷阻挡区域；所述第二电荷阻挡区域位于所述第二电荷存储区域和所述第二栅极之间；所述第二电荷阻挡区域包含氮氧化硅，并且所述第二电荷存储区域包含氮化硅；

空隙，其位于所述第一栅极和所述第二栅极之间并且在所述第一存储器单元结构和所述第二存储器单元结构之间；

所述第一栅极，其包含在所述空隙上方并且通过低密度二氧化硅与所述空隙隔开的导电材料；

所述第二栅极，其包含在所述空隙下方并且通过低密度二氧化硅与所述空隙隔开的导电材料；

第一衬里，其在所述第一电荷存储区域的氮化硅和所述空隙之间；以及

第二衬里，其在所述第一电荷存储区域的氮化硅和所述空隙之间。

8.根据权利要求7所述的组件，其中所述第一衬里和所述第二衬里包含氮氧化硅。

9.根据权利要求7所述的组件，其包含在所述第一栅极和所述第一电荷阻挡区域之间的第一电介质阻隔区域，并且包含在所述第二栅极和所述第二电荷阻挡区域之间的第二电介质阻隔区域。

10.根据权利要求9所述的组件，其中所述第一电介质阻隔区域和所述第二电介质阻隔区域包含高k材料；其中所述第一电介质阻隔区域的所述高k电介质材料的边缘直接抵靠所述空隙；并且其中所述第二电介质阻隔区域的所述高k电介质材料的边缘直接抵靠所述空隙。