[发明专利]存储器阵列和形成存储器阵列的方法

说明书

一些实施例包括一种形成组件(例如，存储器阵列)的方法。通过交替的第一级和第二级的堆叠形成第一开口。第一级包含氮化硅，而第二级包含二氧化硅。用存储器单元结构代替第二级的一些二氧化硅。存储器单元结构包括与电荷阻挡区域相邻的电荷存储区域。在第一开口内形成隧穿材料，并且邻近隧穿材料形成沟道材料。穿过堆叠形成第二开口。第二开口延伸穿过二氧化硅的剩余部分，并延伸穿过氮化硅。去除二氧化硅的剩余部分以形成腔。在腔内形成导电区域。去除氮化硅以在导电区域之间形成空隙。一些实施例包括存储器阵列。

技术领域

存储器阵列(例如，NAND存储器阵列)和形成存储器阵列的方法。

背景技术

存储器为电子系统提供数据存储。闪存存储器是存储器的一种类型，并且在现代计算机和设备中具有多种用途。例如，现代个人计算机可以将BIOS存储在闪存存储器芯片上。作为另一示例，对于计算机和其他设备而言，在固态驱动器中利用闪存存储器来代替传统的硬盘驱动器变得越来越普遍。作为又一示例，闪存存储器在无线电子设备中很普及，因为其使制造商能够在新的通信协议变得标准化时支持所述新的通信协议，并提供针对增强特征远程升级设备的能力。

NAND可以是闪存存储器的基本架构，并且可以被配置为包含垂直堆叠的存储器单元。

在具体描述NAND之前，更一般地描述存储器阵列在集成布置内的关系可能会有所帮助。图1示出了一种现有技术的器件100的框图，所述器件包括存储器阵列102，所述存储器阵列具有以行和列布置的多个存储器单元103以及存取线104(例如，用于传导信号WL0至WLm的字线)和第一数据线106(例如，用于传导信号BL0至BLn的位线)。存取线104和第一数据线106可以用于向和从存储器单元103传输信息。行解码器107和列解码器108对地址线109上的地址信号A0至AX进行解码，以确定哪些存储器单元103将被访问。读出放大器电路115进行操作以确定从存储器单元103读取的信息的值。I/O电路117在存储器阵列102和输入/输出(I/O)线105之间传输信息的值。I/O线105上的信号DQ0至DQN可以表示从存储器单元103读取或将要写入所述存储器单元的信息的值。其他器件可以通过I/O线105、地址线109或控制线120与器件100进行通信。存储器控制单元118用于控制要对存储器单元103执行的存储器操作，并且利用控制线120上的信号。器件100可以分别在第一电源线130和第二电源线132上接收电源电压信号Vcc和Vss。器件100包括选择电路140和输入/输出(I/O)电路117。选择电路140可以经由I/O电路117对信号CSEL1至CSELn做出响应，以选择第一数据线106和第二数据线113上的信号，所述信号可以表示要从存储器单元103读取或要被编程到其中的信息的值。列解码器108可以基于地址线109上的A0至AX地址信号选择性地激活CSEL1至CSELn信号。选择电路140可以选择第一数据线106和第二数据线113上的信号，以在读取和编程操作期间提供存储器阵列102和I/O电路117之间的通信。