[发明专利]用于改进DDR存储器装置中的写入前同步码的系统和方法有效
| 申请号： | 201880060526.5 | 申请日： | 2018-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN111108561B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | D·B·彭妮;D·R·布朗;G·L·霍韦 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C11/4096 | 分类号： | G11C11/4096;G11C7/10;G11C8/12 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种存储器装置包含数据写入电路系统。所述数据写入电路系统经配置以捕获经由外部输入/输出I/O接口接收的第一写入命令。所述数据写入电路系统进一步经配置以在捕获所述第一写入命令后，在数据选通DQS域中生成第一内部写入开始InternalWrStart。所述数据写入电路系统另外经配置以基于所述第一InternalWrStart将第一一或多个数据位写入至少一个存储器存储体中，其中在所述存储器装置内部生成所述第一InternalWrStart。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改进 ddr 存储器 装置 中的 写入 同步 系统 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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