[发明专利]用于改进DDR存储器装置中的写入前同步码的系统和方法

权利要求书

1.一种存储器装置，其包括：

数据写入电路系统，其经配置以：

捕获经由外部输入/输出接口接收的第一写入命令；

在捕获所述第一写入命令后，在数据选通域中生成第一内部写入开始信号；以及

基于所述第一内部写入开始信号将第一一或多个数据位写入至少一个存储器存储体中，其中在所述存储器装置内部生成所述第一内部写入开始信号，其中所述数据写入电路系统包括写入命令转写入命令计数器系统，所述写入命令转写入命令计数器系统包括至少一个计数器和计数器电路系统以基于时钟波形和所述第一写入命令来生成部分写入前同步码信号，并且其中所述数据写入电路系统经配置以使用所述部分写入前同步码信号在内部且在所述数据选通域中生成所述第一内部写入开始信号。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述数据写入电路系统包括数据选通周期计数器，其经配置以基于数据选通波形和所述部分写入前同步码信号来生成所述第一内部写入开始信号，并且其中所述数据写入电路系统经配置以将所述第一内部写入开始信号、所述部分写入前同步码信号和经移位写入命令组合成组合信号，所述组合信号用于将所述第一一或多个数据位写入所述至少一个存储器存储体中。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中所述数据写入电路系统包括锁存器系统，其经配置以使用所述组合信号和所述数据选通波形来生成捕获写入命令信号，所述捕获写入命令信号用于将所述第一一或多个数据位写入所述至少一个存储器存储体中。

4.根据权利要求2所述的存储器装置，其中所述数据写入电路系统包括移位器系统，其经配置以将所述第一写入命令相移为所述经移位写入命令。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述数据写入电路系统经配置以在写入所述第一一或多个数据位之后在所述数据选通域中生成第二内部写入开始信号，且应用所述第二内部写入开始信号来写入第二一或多个数据位。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述数据写入电路系统经配置以在所述第一内部写入开始信号之后在内部生成所有后续写入开始信号。

7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述数据写入电路系统经配置以在存在部分写入前同步码的情况下写入所述第一一或多个数据位，所述部分写入前同步码包括小于完整写入前同步码的时间窗口。

8.根据权利要求7所述的存储器装置，其包括具有所述数据写入电路系统的双数据速率类型五DDR5存储器装置，并且其中所述完整写入前同步码包括具有1、2、3或更多时钟周期的可编程写入前同步码。

9.一种用于操作存储器装置的方法，其包括：

经由所述存储器装置捕获第一写入命令；

经由所述存储器装置在捕获所述第一写入命令后在数据选通域中生成第一内部写入开始信号；以及

经由所述存储器装置基于所述第一内部写入开始信号将第一一或多个数据位写入至少一个存储器存储体中，其中在所述存储器装置内部生成所述第一内部写入开始信号，其中经由所述存储器装置生成所述第一内部写入开始信号包括：经由包含在所述存储器装置中的具有至少一个计数器的写入命令转写入命令计数器系统，基于时钟波形和所述第一写入命令来生成部分写入前同步码信号。

10.根据权利要求9所述的方法，其中将所述第一一或多个数据位写入所述至少一个存储器存储体中包括：将所述第一内部写入开始信号、所述部分写入前同步码信号和相移写入命令组合成组合信号。

11.根据权利要求10所述的方法，其包括经由所述组合信号锁存数据选通波形，以将所述第一一或多个数据位写入所述至少一个存储器存储体中。

12.根据权利要求9所述的方法，其包括在写入所述第一一或多个数据位后在所述数据选通域中生成第二内部写入开始信号，并且应用所述第二内部写入开始信号以写入第二一或多个数据位。