[发明专利]氮化物半导体发光元件和氮化物半导体发光元件的制造方法有效
| 申请号： | 201880059037.8 | 申请日： | 2018-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN111066161B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 古泽优太;和田贡;松仓勇介;希利尔·贝诺 | 申请（专利权）人： | 日机装株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 徐谦;刘宁军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 氮化物半导体发光元件(1)包含：n型包覆层(30)，其由具有第一Al组分比的n型AlGaN形成；势垒层(52)，其位于多量子阱层的上述n型包覆层侧，由具有比第一Al组分比大的第二Al组分比的AlGaN形成；以及倾斜层(40)，其位于上述n型包覆层和上述势垒层之间，具有上述第一Al组分比与上述第二Al组分比之间的第三Al组分比，在上述氮化物半导体发光元件(1)中，上述倾斜层的上述第三Al组分比从第一Al组分比朝向第二Al组分比按规定的增加率增加。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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