[发明专利]氮化物半导体发光元件和氮化物半导体发光元件的制造方法

说明书

氮化物半导体发光元件(1)包含：n型包覆层(30)，其由具有第一Al组分比的n型AlGaN形成；势垒层(52)，其位于多量子阱层的上述n型包覆层侧，由具有比第一Al组分比大的第二Al组分比的AlGaN形成；以及倾斜层(40)，其位于上述n型包覆层和上述势垒层之间，具有上述第一Al组分比与上述第二Al组分比之间的第三Al组分比，在上述氮化物半导体发光元件(1)中，上述倾斜层的上述第三Al组分比从第一Al组分比朝向第二Al组分比按规定的增加率增加。

技术领域

本发明涉及氮化物半导体发光元件和氮化物半导体发光元件的制造方法。

背景技术

近年来，输出蓝色光的发光二极管、激光二极管等氮化物半导体发光元件已实用化，提高了发光输出的氮化物半导体发光元件的开发得到推进(参照专利文献1。)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特许第5521068号公报

发明内容

发明要解决的问题

专利文献1所记载的氮化物半导体发光元件是在n型包覆层与p型包覆层之间具有活性层的III族氮化物半导体发光元件，其中，上述活性层具有包含势垒层和阱层的多量子阱结构，该势垒层为包含与上述n型包覆层接触的第一势垒层、与上述p型包覆层接触的第二势垒层以及位于上述第一势垒层和上述第二势垒层之间的1层以上的中间势垒层的3层以上的包括Al_XGa_1-XN(0≤X＜1)的势垒层，该阱层为夹在该势垒层之间的包括III族氮化物半导体的2层以上的阱层，上述势垒层的Al组分比X以上述中间势垒层中的取最小的Al组分比X_min的中间势垒层为基准朝向上述第一势垒层和上述第二势垒层渐增，上述第一势垒层的Al组分比X₁、上述第二势垒层的Al组分比X₂以及上述X_min满足以下的关系式。

X₂+0.01≤X₁

X_min+0.03≤X₂。

然而，在专利文献1所记载的氮化物半导体发光元件中，n型包覆层与第一势垒层的界面处的Al的组分比是急剧变化的。所以，在界面处会产生带结构以V字型变深的状态(以下，也称为“凹口(notch)”。)，电子容易被该凹口捕获而致使电子的流动受阻。另外，在这样的界面处，会由于压电效应而产生电场，由此，电子的流动容易受到阻碍。由于这样的因素，在专利文献1所记载的氮化物半导体发光元件中，有可能发生发光输出的下降。

故此，本发明的目的在于，提供一种氮化物半导体发光元件和氮化物半导体发光元件的制造方法，其能够抑制在n型包覆层与多量子阱层的n型包覆层侧的势垒层的界面处可能产生的带结构的凹口，并且能够降低由于压电效应而产生的电场，使发光输出得以提高。

用于解决问题的方案

本发明的一实施方式的氮化物半导体发光元件包含：n型包覆层，其由具有第一Al组分比的n型AlGaN形成；势垒层，其位于多量子阱层的上述n型包覆层侧，由具有比上述第一Al组分比大的第二Al组分比的AlGaN形成；以及倾斜层，其位于上述n型包覆层和上述势垒层之间，具有上述第一Al组分比与上述第二Al组分比之间的第三Al组分比，在上述氮化物半导体发光元件中，上述倾斜层的上述第三Al组分比从上述第一Al组分比朝向上述第二Al组分比按规定的增加率增加。