[发明专利]氮化物半导体发光元件和氮化物半导体发光元件的制造方法有效
| 申请号： | 201880059037.8 | 申请日： | 2018-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN111066161B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 古泽优太;和田贡;松仓勇介;希利尔·贝诺 | 申请（专利权）人： | 日机装株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 徐谦;刘宁军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 制造 方法 | ||
1.一种氮化物半导体发光元件，包含：
n型包覆层，其由具有第一Al组分比的n型AlGaN形成；
势垒层，其位于多量子阱层的上述n型包覆层侧，由具有比上述第一Al组分比大的第二Al组分比的AlGaN形成；以及
倾斜层，其位于上述n型包覆层和上述势垒层之间，具有上述第一Al组分比与上述第二Al组分比之间的第三Al组分比，
在上述氮化物半导体发光元件中，
上述倾斜层的上述第三Al组分比从上述第一Al组分比朝向上述第二Al组分比按0.9％/nm至1.1％/nm之间的增加率大致以直线倾斜地增加。
2.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，
上述n型包覆层的上述第一Al组分比是50％至60％之间的值。
3.根据权利要求1或2所述的氮化物半导体发光元件，
上述势垒层的上述第二Al组分比是80％以上的值。
4.一种氮化物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，具备：
在基板上形成n型包覆层的工序，上述n型包覆层具有具备第一Al组分比的n型AlGaN；
形成势垒层的工序，上述势垒层位于多量子阱层的上述n型包覆层侧，具有具备比上述第一Al组分比大的第二Al组分比的AlGaN；以及
形成倾斜层的工序，上述倾斜层位于上述n型包覆层和上述势垒层之间，具有上述第二Al组分比与上述第一Al组分比之间的第三Al组分比，
在形成上述倾斜层的工序中，一边以上述第三Al组分比从上述第一Al组分比朝向上述第二Al组分比按0.9％/nm至1.1％/nm之间的增加率大致以直线倾斜地增加的方式使Al的供应量增加一边进行形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日机装株式会社，未经日机装株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880059037.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电阻点焊方法
- 下一篇：用于与包含氧亚甲基醚的介质接触的用途的共聚物硫化橡胶
