[发明专利]用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片有效
| 申请号： | 201880057616.9 | 申请日： | 2018-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN111066160B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | M.休伯;J.索默菲尔德;M.赫兹;S.霍伊布尔;C.伦博尔兹;A.基斯里赫;B.博姆;G.罗斯巴赫;M.布罗尔 | 申请（专利权）人： | 欧司朗OLED有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王丹丹 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造光电子半导体芯片的方法，其具有如下步骤：‑提供具有辐射穿过面(1a)的半导体主体(1)，并且‑在辐射穿过面(1a)处将结构(2)引入半导体主体(1)中，其中‑准规则地布置结构(2)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 光电子 半导体 芯片 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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