[发明专利]用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片

说明书

本发明涉及一种用于制造光电子半导体芯片的方法，其具有如下步骤：‑提供具有辐射穿过面(1a)的半导体主体(1)，并且‑在辐射穿过面(1a)处将结构(2)引入半导体主体(1)中，其中‑准规则地布置结构(2)。

技术领域

本发明涉及一种用于制造光电子半导体芯片的方法和一种光电子半导体芯片。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种用于制造具有改善的光学特性的光电子半导体芯片的方法，该方法尤其可以成本有益的方式实施。本发明所要解决的另一技术问题在于，提供一种具有改善的光学特性的光电子半导体芯片。

首先，提出一种用于制造光电子半导体芯片的方法。该光电子半导体芯片尤其为发射辐射的半导体芯片，其在运行时发射电磁辐射、尤其是光。例如，所述光电子半导体芯片是发光二极管芯片。

根据用于制造光电子半导体芯片的方法的至少一种实施方式，首先提供具有辐射穿过面(辐射穿过区域)的半导体主体。例如可以通过在衬底上的外延生长提供半导体主体。可将衬底从半导体主体移除，并且将半导体主体例如布置在载体上或辅助载体上。

半导体主体例如包括被构造为例如p型导通的第一导通区域和被构造为例如n型导通的第二导通区域。在两个导通区域之间可布置有源区域。有源区域在制成的半导体芯片的运行中被设定用于产生辐射。也就是说，在制成的光电子半导体芯片的运行中，在有源区域中产生电磁辐射例如光，其穿过半导体主体的辐射穿过面离开半导体主体。辐射穿过面例如由半导体主体的主表面例如覆盖面来提供，所述主表面向外封闭半导体主体的第二导通区域。

半导体主体例如基于III-V族化合物半导体材料。III/V族化合物半导体材料具有至少一种第三主族的元素例如B、Al、Ga、In，和至少一种第五主族的元素例如N、P、As。术语“III/V族化合物半导体材料”尤其包括二价、三价或四价化合物的基团，所述化合物包含至少一种第三主族的元素和至少一种第五主族的元素，例如氮化物和磷化物半导体。此外，这种二价、三价或四价化合物例如可具有一种或多种掺杂物质以及另外的成分。尤其可能的是，半导体主体基于氮化物半导体材料或磷化物半导体材料。

根据该方法的至少一种实施方式，将结构在辐射穿过面处引入半导体主体中。例如通过材料去除方法将结构在辐射穿过面处引入半导体主体中。例如可通过干化学或湿化学蚀刻将结构引入半导体主体中。

所述结构例如构造在半导体主体的第二导通区域中。结构尤其可由半导体主体的材料组成。

根据方法的至少一种实施方式，在半导体主体的辐射穿过面处将结构施加到半导体主体上。例如为此，将与半导体主体的材料不同的另外的材料例如作为层施加到半导体主体的辐射穿过面上。随后，借助干化学或湿化学蚀刻将结构引入该层中。此外可能的是，借助施加技术如蒸发(蒸镀)或溅射穿过相应地结构化的掩膜将结构施加到半导体主体上。

穿过辐射穿过面离开半导体主体或者进入半导体主体的电磁辐射随后至少部分地穿过结构。

根据至少一种实施方式，在辐射穿过面处暴露在半导体主体中的结构暴露。例如，在半导体主体于衬底上外延生长时已经施加了结构。为此例如，衬底的生长表面相应地可以是结构化的，或者在衬底与半导体主体之间布置相应地结构化的生长掩膜。在例如通过蚀刻或激光剥离方法来分离衬底时，于是可暴露以这种方式引入到半导体主体中的结构。

在此处描述的方法中，另外可能的是，在半导体主体中存在在那里被引入和/或施加和/或暴露的结构。也就是说，用于在半导体主体中制造结构的不同的方式是可组合的。

根据该方法的至少一种实施方式，准规则地(以准规则的方式，)布置所述结构。“准规则”在此意指例如结构的尺寸例如其直径、其高度和/或其体积对于所有结构来说不是相同的，而是以特定的值例如以提到的尺寸的平均值波动。