[发明专利]用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片

权利要求书

1.一种用于制造光电子半导体芯片的方法，具有以下步骤：

-提供具有辐射穿过面的半导体主体，和

-在辐射穿过面处将结构引入半导体主体中，和/或

-在辐射穿过面处将结构施加到半导体主体上，和/或

-在辐射穿过面处使半导体主体中的结构暴露，其中

-准规则地布置所述结构，其中

-所述结构中的至少一些结构的位置相较于规则晶格的晶格点处的结构的位置偏移，并且这些位置以预设的最大偏移值排布的频率高于以较小偏移值排布的频率，其中较小偏移值大于零，

所述结构为圆顶、凸出部或其组合，并且每个结构具有尖部，其中每个结构的位置由其尖部的位置提供。

2.一种光电子半导体芯片，具有：

-半导体主体，其包括辐射穿过面和在辐射穿过面处的结构，其中

-所述结构被准规则地布置，其中

-所述结构中的至少一些结构的位置相较于规则晶格的晶格点处的结构的位置偏移，并且这些位置以预设的最大偏移值排布的频率高于以较小偏移值排布的频率，其中较小偏移值大于零，

所述结构为圆顶、凸出部或其组合，并且每个结构具有尖部，其中每个结构的位置由其尖部的位置提供。

3.根据权利要求1所述的方法或根据权利要求2所述的光电子半导体芯片，其中最大偏移值是规则晶格的彼此相邻的晶格点的平均距离的至少10％。

4.根据权利要求1所述的方法或根据权利要求2所述的光电子半导体芯片，其中最大偏移值是规则晶格的彼此相邻的晶格点的平均距离的至少20％。

5.根据权利要求1所述的方法或根据权利要求2所述的光电子半导体芯片，其中这些位置以随机方式偏移。

6.根据权利要求1所述的方法或根据权利要求2所述的光电子半导体芯片，其中这些位置以相同的频率沿每个横向偏移。

7.根据权利要求1所述的方法或根据权利要求2所述的光电子半导体芯片，其中通过干化学蚀刻在使用相应地结构化的掩膜的情况下产生所述结构。

8.根据权利要求1所述的方法或根据权利要求2所述的光电子半导体芯片，其中通过湿化学蚀刻在使用相应地结构化的掩膜的情况下产生所述结构。

9.根据权利要求1所述的方法或根据权利要求2所述的光电子半导体芯片，其中所述结构的折射率小于半导体主体的直接与所述结构相邻的区域的折射率，并且所述结构的折射率大于包围半导体主体的材料的折射率。

10.根据权利要求1所述的方法或根据权利要求2所述的光电子半导体芯片，其中对于至少一些结构，高度和/或最大直径和/或体积成对地不同。

11.根据权利要求1所述的方法或根据权利要求2所述的光电子半导体芯片，其中对于至少一些结构，高度和/或最大直径和/或体积偏离高度和/或最大直径和/或体积的平均值至少1％。

12.根据权利要求1所述的方法或根据权利要求2所述的光电子半导体芯片，其中用抗反射层覆盖至少一些结构。

13.根据权利要求1所述的方法或根据权利要求2所述的光电子半导体芯片，其中至少一些结构仅在尖部区域具有粗糙化的外表面。