[发明专利]发光二极管装置及制造发光二极管装置的方法有效
| 申请号： | 201880053327.1 | 申请日： | 2018-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN111052409B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 金载石;姜镇熙;姜智薰 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/36;H01L33/10;H01L33/62 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供制造发光二极管的方法。该方法包括：在衬底上形成半导体层；在半导体层上形成包括多个凹槽的掩膜层；分别在所述多个凹槽中形成多个纳米结构；通过刻蚀半导体层的外侧区域和所述半导体层层的与所述外侧区域不同的内侧区域，形成已刻蚀的区域；在半导体层的已刻蚀的区域上形成第一电极；在第一电极上形成绝缘层；以及在绝缘层和多个纳米结构上形成第二电极。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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