[发明专利]发光二极管装置及制造发光二极管装置的方法

权利要求书

1.一种制造发光二极管的方法，所述方法包括：

在衬底上形成半导体层；

在所述半导体层上形成包括多个凹槽的掩膜层；

分别在所述多个凹槽中形成多个纳米结构；

通过刻蚀所述半导体层的外侧区域和所述半导体层的与所述外侧区域不同的内侧区域，形成已刻蚀的区域；

在所述半导体层的所述已刻蚀的区域上形成第一电极；

在所述第一电极上形成绝缘层；以及

在所述绝缘层和所述多个纳米结构上形成第二电极，

其中，所述内侧区域包括横向区域和纵向区域中的至少一个，所述横向区域和所述纵向区域中的所述至少一个在穿过与所述外侧区域不同的区域的中心部分的同时连接至所述外侧区域，其中所述内侧区域在由所述外侧区域形成的边界内。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述内侧区域包括：基于所述中心部分的、具有比所述横向区域和所述纵向区域的宽度长的四个边的矩形区域。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个纳米结构中的每一个纳米结构包括：

纳米形状的n型半导体层；

在所述纳米形状的n型半导体层上形成的有源层；以及

在所述有源层上形成的p型半导体层。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述有源层形成为覆盖所述纳米形状的n型半导体层，并且

其中，所述p型半导体层形成为覆盖所述有源层。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述第二电极上形成反射层。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述衬底上形成第一通孔，以至少与在所述外侧区域中形成的所述第一电极的一部分连接；

在所述第一通孔中形成第一焊盘；

在所述衬底中形成第二通孔，以至少与所述第二电极的外侧部分连接；以及

在所述第二通孔之中形成第二焊盘。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述绝缘层的面积大于或等于所述第一电极的面积。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二电极覆盖所述绝缘层和所述多个纳米结构。

9.一种发光二极管，包括：

衬底；

第一n型半导体层，所述第一n型半导体层形成在所述衬底上；

第一电极，所述第一电极形成在所述第一n型半导体层的外侧区域中，并且形成在所述第一n型半导体层的与所述外侧区域不同的内侧区域中；

多个纳米形状的第二n型半导体，所述多个纳米形状的第二n型半导体形成在所述第一n型半导体层的、与在所述第一n型半导体层中形成所述第一电极的区域不同的至少一部分中；

多个有源层，所述多个有源层形成在所述多个纳米形状的第二n型半导体上；

多个p型半导体，所述多个p型半导体形成在所述多个有源层上；

绝缘层，所述绝缘层形成在所述第一电极上；以及

第二电极，所述第二电极形成在所述绝缘层和所述多个p型半导体上，

其中，所述内侧区域包括横向区域和纵向区域中的至少一个，所述横向区域和所述纵向区域中的所述至少一个在穿过与所述外侧区域不同的区域的中心部分的同时连接至所述外侧区域，其中所述内侧区域在由所述外侧区域形成的边界内。

10.根据权利要求9所述的发光二极管，其中，所述多个有源层中的有源层形成在多个纳米形状的n型半导体中的每个纳米形状的n型半导体上，并且

其中，所述多个p型半导体中的p型半导体形成在所述多个有源层中的每个有源层上。

11.根据权利要求9所述的发光二极管，其中，所述第二电极覆盖所述绝缘层和所述多个p型半导体。

12.根据权利要求9所述的发光二极管，其中，所述内侧区域包括：基于所述中心部分的、具有比所述横向区域和所述纵向区域的宽度长的四个边的矩形区域。