[发明专利]发光二极管装置及制造发光二极管装置的方法

说明书

提供制造发光二极管的方法。该方法包括：在衬底上形成半导体层；在半导体层上形成包括多个凹槽的掩膜层；分别在所述多个凹槽中形成多个纳米结构；通过刻蚀半导体层的外侧区域和所述半导体层层的与所述外侧区域不同的内侧区域，形成已刻蚀的区域；在半导体层的已刻蚀的区域上形成第一电极；在第一电极上形成绝缘层；以及在绝缘层和多个纳米结构上形成第二电极。

技术领域

与本公开一致的装置和方法涉及发光二极管和制造发光二极管的方法，并且具体涉及包括纳米结构的发光二极管和制造包括纳米结构的发光二极管的方法。

背景技术

发光二极管(LED)具有寿命长、功耗低、以及响应速度快的优点，因此在各种显示设备和照明设备中使用。在最近几年，已经将包括纳米结构的发光二极管用于增大发光面积。

然而，在相关技术的发光二极管中，提供电子和空穴的n型电极和p型电极分别被偏置于发光二极管中的一个区域，因此，发光效率随着与n型电极和p型电极的距离的增大而指数下降。另外，在电极所处的位置附近出现局部发热现象。

这种问题被称作电流拥挤效应，且存在开发用于随着改变发光二极管中的电极的布置和结构来改善电流拥挤效应的发光二极管的需求。

发明内容

技术方案

根据示例实施例的一个方面，提供制造发光二极管的方法，该方法包括：在衬底上形成半导体层；在半导体层上形成包括多个凹槽的掩膜层；分别在所述多个凹槽中形成多个纳米结构；通过刻蚀半导体层的外侧区域和半导体层的与外侧区域不同的内侧区域，形成已刻蚀的区域；在半导体层的已刻蚀的区域上形成第一电极；在第一电极上形成绝缘层；以及在绝缘层和多个纳米结构上形成第二电极。

内侧区域可以包括：横向区域和纵向区域中的至少一个，所述横向区域和所述纵向区域中的所述至少一个在穿过与外侧区域不同的区域的中心部分的同时连接至外侧区域。

内侧区域可以包括：基于所述中心部分的、具有比横向区域和纵向区域的宽度长的四个边的矩形区域。

所述多个纳米结构中的每一个纳米结构可以包括：纳米形状的n型半导体层；在纳米形状的n型半导体层上形成的有源层；以及在有源层上形成的p型半导体层。

有源层可以形成为覆盖纳米形状的n型半导体层，并且p型半导体层可以形成为覆盖有源层。

该方法还可以包括：在第二电极上形成反射层。

该方法还可以包括：在衬底上形成第一通孔，以至少与在外侧区域中形成的第一电极的一部分连接；在第一通孔中形成第一焊盘；在衬底中形成第二通孔，以至少与第二电极的外侧部分连接；以及在第二通孔之中形成第二焊盘。

绝缘层的面积可以大于或等于第一电极的面积。

第二电极可以覆盖绝缘层和所述多个纳米结构。

根据另一个示例实施例的一个方面，提供一种发光二极管，该发光二极管包括：衬底；第一n型半导体层，第一n型半导体层形成在衬底上；第一电极，第一电极形成在第一n型半导体层的外侧区域中、并且形成在与外侧区域不同的第一n型半导体层的内侧区域中；多个纳米形状的第二n型半导体，所述多个纳米形状的第二n型半导体形成在第一n型半导体层的、与在第一n型半导体层中形成第一电极的区域不同的至少一部分中；多个有源层，所述多个有源层形成在所述多个纳米形状的第二n型半导体上；多个p型半导体，所述多个p型半导体形成在所述多个有源层上；绝缘层，绝缘层形成在第一电极上；以及第二电极，第二电极形成在绝缘层和所述多个p型半导体上。

所述多个有源层中的有源层可以形成在多个纳米形状的n型半导体中的每个纳米形状的n型半导体中，并且所述多个p型半导体中的p型半导体可以形成在所述多个有源层中的每个有源层上。

第二电极可以覆盖绝缘层和所述多个p型半导体。