[发明专利]温度控制装置有效
| 申请号： | 201880048457.6 | 申请日： | 2018-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN110959187B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 关笃史 | 申请（专利权）人： | 伸和控制工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;F25B1/00;H10B43/27;H01L21/683 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 李成海 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种温度控制装置，其遍及多个阶段地控制温度控制对象的控制温度。由第一流量控制用三通阀(103)将从第一供给组件(101)供给的低温侧流体和从第二供给组件(102)供给的高温侧流体混合，作为温度控制用流体向温度控制对象输送，由第二流量控制用三通阀(108)分配从温度控制对象返回的温度控制用流体，使之返回第一及第二供给组件。由第三流量控制用三通阀(112)使从第一供给组件不向第一流量控制用三通阀供给的低温侧流体经旁通流路与由第二流量控制用三通阀分配的温度控制用流体一起向第一供给组件回流。另一方面，由第四流量控制用三通阀(116)使从第二供给组件不向第一流量控制用三通阀供给的高温侧流体经旁通流路与由第二流量控制用三通阀分配的温度控制用流体一起向第二供给组件回流。 | ||
| 搜索关键词： | 温度 控制 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
