[发明专利]温度控制装置有效
申请号: | 201880048457.6 | 申请日: | 2018-07-20 |
公开(公告)号: | CN110959187B | 公开(公告)日: | 2023-08-15 |
发明(设计)人: | 关笃史 | 申请(专利权)人: | 伸和控制工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;F25B1/00;H10B43/27;H01L21/683 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 李成海 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 温度 控制 装置 | ||
一种温度控制装置,其遍及多个阶段地控制温度控制对象的控制温度。由第一流量控制用三通阀(103)将从第一供给组件(101)供给的低温侧流体和从第二供给组件(102)供给的高温侧流体混合,作为温度控制用流体向温度控制对象输送,由第二流量控制用三通阀(108)分配从温度控制对象返回的温度控制用流体,使之返回第一及第二供给组件。由第三流量控制用三通阀(112)使从第一供给组件不向第一流量控制用三通阀供给的低温侧流体经旁通流路与由第二流量控制用三通阀分配的温度控制用流体一起向第一供给组件回流。另一方面,由第四流量控制用三通阀(116)使从第二供给组件不向第一流量控制用三通阀供给的高温侧流体经旁通流路与由第二流量控制用三通阀分配的温度控制用流体一起向第二供给组件回流。
技术领域
本发明涉及温度控制装置。
背景技术
以往,作为涉及温度控制装置的技术,例如,已提出了在专利文献1等中公开的技术。
专利文献1以提供一种能将为了冷却、加热而消耗的电力最小化的半导体制造设备用的温度控制系统为主要目的,是对从半导体制造设备的负荷回收的热介质(Coolant)进行冷暖控制并以目标温度进行供给的温度控制系统,其构成如下,即,包括将低温热介质和高温热介质混合并向负荷供给的混合器;储藏低温热介质的第一热介质罐;使第一热介质罐的热介质冷却来提供的第一热电元件块;使回收热介质冷却而向前述第一热介质罐提供的第二热电元件块;将通过前述第一热电元件块提供的冷却了的第一热介质罐的热介质以第一比率向前述混合器提供,并使其它的热介质向前述第二热电元件块旁通,第一热介质罐进行回收的第一三通转换阀;储藏高温热介质的第二热介质罐;将第二热介质罐的热介质加热的第一加热器;将回收热介质加热并向前述第二热介质罐提供的第二加热器;将通过前述第一加热器加热了的第二热介质罐的热介质以第二比率向前述混合器提供,使其它的热介质向前述第二加热器旁通,第二热介质罐进行回收的第二三通转换阀;和将从负荷回收的热介质以前述第一比率向前述第二热电元件块提供,以前述第二比率向前述第二加热器提供的第三三通转换阀。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2015-79930号公报
发明内容
发明所要解决的课题
本发明以提供一种与不能独立地控制从第一供给组件供给的低温侧流体及从第二供给组件供给的高温侧流体的混合比和向第一供给组件回流的低温侧流体及向第二供给组件回流的高温侧流体的分配比的结构比较,能以高的精度控制低温侧流体和高温侧流体的混合比,可遍及多个阶段地控制温度控制对象的控制温度的温度控制装置为目的。
为了解决课题的手段
本发明的第一方面是一种温度控制装置,其中,具备第一供给组件、第二供给组件、第一流量控制用三通阀、第二流量控制用三通阀、第三流量控制用三通阀和第四流量控制用三通阀,
该第一供给组件供给低温侧的被调整到预定的第一温度的低温侧流体,
该第二供给组件供给高温侧的被调整到预定的第二温度的高温侧流体,
该第一流量控制用三通阀一面控制从前述第一供给组件供给的前述低温侧流体和从前述第二供给组件供给的前述高温侧流体的流量一面进行混合,作为温度控制用流体向温度控制对象供给,
该第二流量控制用三通阀将在前述温度控制对象中流通的前述温度控制用流体一面控制流量一面向前述第一供给组件和前述第二供给组件分配,
该第三流量控制用三通阀对在前述温度控制对象中流通而由前述第二流量控制用三通阀向前述第一供给组件分配的前述温度控制用流体和从前述第一供给组件不向前述第一流量控制用三通阀供给而是向前述第一供给组件回流的前述低温侧流体的流量进行控制,
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造