[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法有效
| 申请号: | 201880042329.0 | 申请日: | 2018-06-26 |
| 公开(公告)号: | CN110800111B | 公开(公告)日: | 2023-03-24 |
| 发明(设计)人: | 美崎克纪 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G09F9/00;G09F9/30;H01L27/144;H01L29/786 |
| 代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 权鲜枝;刘宁军 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 一种具有像素区域的有源矩阵基板,具备:端子部(P2);保护环(P4);以及连接部(P3),其连接端子部(P2)和保护环(P4)。像素区域、端子部(P2)以及保护环(P4)具有:第1金属膜(231);第1导电层(13s),其层叠有电阻比第1金属膜(231)的电阻低的第2金属膜(232、233);第1保护层(103),其配置成与第1导电层(13s)的至少一部分重叠;以及第2保护层(105),其配置于第1保护层(103)之上。像素区域具有设置于第1保护层的上层的第2导电层。连接部(P2)具有第1金属膜(231)和配置于第1金属膜(231)之上的第2保护层(105)。端子部(P2)和保护环(P4)中的第1导电层(13s)的连接部侧的端部配置于比第1保护层(103)的连接部侧的端部靠内侧的位置。第2导电层(141)和第2金属膜(232、233)包含能用相同的蚀刻液进行蚀刻的材料。 | ||
| 搜索关键词: | 有源 矩阵 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种有源矩阵基板,是具有像素区域的有源矩阵基板,上述有源矩阵基板的特征在于,具备:/n端子部,其与上述像素区域连接;/n保护环,其设置于上述端子部的周围;以及/n连接部,其将上述端子部与上述保护环之间连接,/n上述像素区域、上述端子部以及上述保护环各自具有:/n第1导电层,其至少层叠有第1金属膜和电阻比上述第1金属膜的电阻低的第2金属膜;/n第1保护层,其配置成与上述第1导电层的至少一部分重叠;以及/n第2保护层,其配置于上述第1保护层之上,/n上述像素区域还具有设置于上述第1保护层的上层的第2导电层,/n上述连接部具有:/n上述第1金属膜;以及/n上述第2保护层,其配置于上述第1金属膜之上,/n上述端子部和上述保护环中的上述第1导电层的上述连接部侧的端部配置于比上述第1保护层的上述连接部侧的端部靠内侧的位置,/n上述第2导电层和上述第2金属膜包含能用相同的蚀刻液进行蚀刻的材料。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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