[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法

权利要求书

1.一种有源矩阵基板，是具有像素区域的有源矩阵基板，上述有源矩阵基板的特征在于，具备：

端子部，其与上述像素区域连接；

保护环，其设置于上述端子部的周围；以及

连接部，其将上述端子部与上述保护环之间连接，

上述像素区域、上述端子部以及上述保护环各自具有：

第1导电层，其至少层叠有第1金属膜和电阻比上述第1金属膜的电阻低的第2金属膜；

第1保护层，其配置成与上述第1导电层的至少一部分重叠；以及

第2保护层，其配置于上述第1保护层之上，

上述像素区域还具有设置于上述第1保护层的上层的第2导电层，

上述连接部具有：

上述第1金属膜；以及

上述第2保护层，其配置于上述第1金属膜之上，

上述端子部和上述保护环中的上述第1导电层的上述连接部侧的端部配置于比上述第1保护层的上述连接部侧的端部靠内侧的位置，

上述第2导电层和上述第2金属膜包含能用相同的蚀刻液进行蚀刻的材料。

2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，

上述端子部还具有与上述第1导电层连接的上述第2导电层。

3.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，

上述像素区域和上述端子部还在上述第1导电层之上具有第3导电层，

在上述端子部中，上述第3导电层配置成与上述第1导电层重叠，

上述第3导电层包含与上述第2导电层相比相对于上述蚀刻液的蚀刻速率较低的材料。

4.一种制造方法，是制造有源矩阵基板的方法，上述有源矩阵基板具有：基板上的像素区域；端子部，其设置于上述像素区域的外侧的第1区域，与上述像素区域连接；保护环，其设置于上述第1区域的外侧的第2区域；以及连接部，其设置于上述第1区域与上述第2区域之间的第3区域，将上述端子部与上述保护环之间连接，上述制造方法的特征在于，包含如下工序：

在上述像素区域、上述第1区域、上述第2区域以及上述第3区域中，形成至少层叠有第1金属膜和电阻比上述第1金属膜的电阻低的第2金属膜的第1导电层；

在上述像素区域、上述第1区域、上述第2区域以及上述第3区域中，在上述第1导电层之上形成第1保护层；

在上述像素区域和上述第3区域中，形成上述第1保护层的开口；

在上述像素区域、上述第1区域、上述第2区域以及上述第3区域中，在上述第1保护层的上层形成第2导电层，然后对上述第2导电层进行蚀刻；以及

在上述像素区域、上述第1区域、上述第2区域以及上述第3区域中，在上述第1保护层的上层形成第2保护层，

上述第2导电层和上述第2金属膜包含能用相同的蚀刻液进行蚀刻的材料，

至少上述第2区域和上述第3区域中的上述第2导电层通过上述蚀刻被除去，

在上述第3区域中，上述保护层的开口位置处的上述第1导电层中的、上述第2金属膜通过上述蚀刻被除去，而使上述第1金属膜残存，

在上述第1区域和上述第2区域中，上述第1导电层的上述第3区域侧的端部的位置配置于比上述保护层的上述第3区域侧的端部靠内侧的位置。

5.根据权利要求4所述的制造方法，

在上述蚀刻的工序中，上述第1区域中的上述第2导电层不被除去，上述第1区域具有与上述第1导电层连接的上述第2导电层。

6.根据权利要求4所述的制造方法，

还包含如下工序：在形成上述第1保护层的开口后，在上述像素区域、上述第1区域、上述第2区域以及上述第3区域形成第3导电层，对上述第3导电层进行蚀刻，

上述像素区域和上述第1区域在上述第1导电层的上层具备上述第3导电层，在上述第1区域中，上述第3导电层与上述第1导电层连接，

上述第3导电层包含与上述第2导电层相比相对于上述蚀刻液的蚀刻速率较低的材料。