[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法

说明书

一种具有像素区域的有源矩阵基板，具备：端子部(P2)；保护环(P4)；以及连接部(P3)，其连接端子部(P2)和保护环(P4)。像素区域、端子部(P2)以及保护环(P4)具有：第1金属膜(231)；第1导电层(13s)，其层叠有电阻比第1金属膜(231)的电阻低的第2金属膜(232、233)；第1保护层(103)，其配置成与第1导电层(13s)的至少一部分重叠；以及第2保护层(105)，其配置于第1保护层(103)之上。像素区域具有设置于第1保护层的上层的第2导电层。连接部(P2)具有第1金属膜(231)和配置于第1金属膜(231)之上的第2保护层(105)。端子部(P2)和保护环(P4)中的第1导电层(13s)的连接部侧的端部配置于比第1保护层(103)的连接部侧的端部靠内侧的位置。第2导电层(141)和第2金属膜(232、233)包含能用相同的蚀刻液进行蚀刻的材料。

技术领域

本发明涉及有源矩阵基板及其制造方法。

背景技术

在特开2010-210713号公报中，公开了形成有输入端子、以及与输入端子连接的短路环的有源矩阵基板。该有源矩阵基板构成为，在制造有源矩阵基板之后截断了输入端子与短路环之间的连接部分时，设置于截断位置的金属膜不会发生腐蚀。

具体地说，在该有源矩阵基板中，钛(Ti)层相连地形成在输入端子与短路环之间。在钛(Ti)层之上，除截断部分之外形成有铜(Cu)层。在特开2010-210713号公报中，在钛(Ti)层之上整体地形成铜(Cu)层之后，使用激光等仅将截断部分的铜(Cu)层除去。

铜(Cu)等低电阻金属膜比较软，因此有可能在截断时金属膜伸展而与相邻的其它配线之间发生短路。因此，通过以在截断位置不残留与钛(Ti)相比电阻较低的铜(Cu)等低电阻金属膜的方式形成有源矩阵基板，能防止截断时的低电阻金属膜的腐蚀或与其它配线之间的短路。但另一方面，需要仅将截断位置的低电阻金属膜除去的工序，因此，有源矩阵基板的制造工序增加。

以下公开的发明提供一种不仅能削减制造工序而且能防止有源矩阵基板截断时的短路等的技术。

发明内容

解决上述问题的本发明的有源矩阵基板是具有像素区域的有源矩阵基板，具备：端子部，其与上述像素区域连接；保护环，其设置于上述端子部的周围；以及连接部分，其将上述端子部与上述保护环之间连接，上述像素区域、上述端子部以及上述保护环各自具有：第1导电层，其至少层叠有第1金属膜和电阻比上述第1金属膜的电阻低的第2金属膜；第1保护层，其配置成与上述第1导电层的至少一部分重叠；以及第2保护层，其配置于上述第1保护层之上，上述像素区域还具有设置于上述第1保护层的上层的第2导电层，上述连接部具有：上述第1金属膜；以及上述第2保护层，其配置于上述第1金属膜之上，上述端子部和上述保护环中的上述第1导电层的上述连接部侧的端部配置于比上述第1保护层的上述连接部侧的端部靠内侧的位置，上述第2导电层和上述第2金属膜包含能用相同的蚀刻液进行蚀刻的材料。

根据本发明，不仅能削减制造工序而且能防止有源矩阵基板截断时的短路等。

附图说明

图1是示出第1实施方式的X射线摄像装置的示意图。

图2是示出图1所示的摄像面板的概略构成的示意图。

图3A是将图2所示的摄像面板的一个像素部分放大后的俯视图。

图3B是将能设置与图3A所示的像素部分连接的端子部、保护环部、以及端子部与保护环部之间的连接部的区域的一部分放大后的示意图。

图4A是图3的像素部P1的A-A线的截面图。

图4B是端子部P2的B-B线、连接部P3的C-C线及D-D线的各截面图。

图5A是说明制作图4A所示的像素部、图4B所示的端子部、连接部以及保护环部的工序的图，并且是在像素部形成栅极电极、栅极绝缘膜以及半导体活性层的工序的截面图。