[发明专利]用于改善的转换效率和色域的量子点膜的多层光学构造在审
| 申请号: | 201880040544.7 | 申请日: | 2018-05-30 |
| 公开(公告)号: | CN110800112A | 公开(公告)日: | 2020-02-14 |
| 发明(设计)人: | 周兵;周昊;C·L·海因 | 申请(专利权)人: | 沙特基础工业全球技术公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G02F1/1335 |
| 代理公司: | 11245 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 尚晓芹 |
| 地址: | 荷兰,贝*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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| 摘要: | 多层膜可以包括第一量子点层,该第一量子点层包括第一聚合物基体和在其中设置的多个第一量子点。第二量子点层可以邻近第一量子点层设置并且可以包括第二聚合物基体和在其中设置的多个第二量子点。多个第一量子点可以在第一聚合物基体内彼此间隔开以在其间限定间隙。多个第一量子点在被由光源产生的光激发后可以发出第一二次光。多个第二量子点的至少一部分可以定位为沿着与第一量子点层和第二量子点层正交的轴与第一聚合物基体内限定的间隙对准。 | ||
| 搜索关键词: | 量子点层 量子点 聚合物基体 聚合物基 体内 光源产生 间隙对准 多层膜 二次光 光激发 正交的 邻近 | ||
【主权项】:
1.一种多层膜,其包括:/n包括第一聚合物基体和设置在所述第一聚合物基体内的多个第一量子点的第一量子点层,其中所述多个第一量子点在所述第一聚合物基体内彼此间隔开以在其间限定间隙,并且所述多个第一量子点在被由光源产生的光激发后发出第一二次光;和/n邻近所述第一量子点层设置的第二量子点层,所述第二量子点层包括第二聚合物基体和设置在所述第二聚合物基体内的多个第二量子点,使得沿着与所述第一量子点层和所述第二量子点层正交的轴所述多个第二量子点的至少一部分与所述第一聚合物基体内限定的所述间隙对准,并且所述多个第二量子点在被由所述光源产生的光激发后发出第二二次光;/n其中/n所述第一二次光的峰值波长高于所述第二二次光的峰值波长,并且所述第一量子点层比所述第二量子点层更靠近所述光源放置,/n沿着与所述第一量子点层和所述第二量子点层正交的轴所述多个第二量子点与所述多个第一量子点基本上不重叠,/n所述多个第一量子点最小以第一量子点的一个半径间隔开并且所述多个第二量子点最小以第二量子点的一个半径间隔开,并且/n所述第一聚合物基体具有所述第一量子点的2以内的折射率并且所述第二聚合物基体具有所述第二量子点的2以内的折射率。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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