[发明专利]用于改善的转换效率和色域的量子点膜的多层光学构造在审
| 申请号: | 201880040544.7 | 申请日: | 2018-05-30 |
| 公开(公告)号: | CN110800112A | 公开(公告)日: | 2020-02-14 |
| 发明(设计)人: | 周兵;周昊;C·L·海因 | 申请(专利权)人: | 沙特基础工业全球技术公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G02F1/1335 |
| 代理公司: | 11245 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 尚晓芹 |
| 地址: | 荷兰,贝*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 量子点层 量子点 聚合物基体 聚合物基 体内 光源产生 间隙对准 多层膜 二次光 光激发 正交的 邻近 | ||
1.一种多层膜,其包括:
包括第一聚合物基体和设置在所述第一聚合物基体内的多个第一量子点的第一量子点层,其中所述多个第一量子点在所述第一聚合物基体内彼此间隔开以在其间限定间隙,并且所述多个第一量子点在被由光源产生的光激发后发出第一二次光;和
邻近所述第一量子点层设置的第二量子点层,所述第二量子点层包括第二聚合物基体和设置在所述第二聚合物基体内的多个第二量子点,使得沿着与所述第一量子点层和所述第二量子点层正交的轴所述多个第二量子点的至少一部分与所述第一聚合物基体内限定的所述间隙对准,并且所述多个第二量子点在被由所述光源产生的光激发后发出第二二次光;
其中
所述第一二次光的峰值波长高于所述第二二次光的峰值波长,并且所述第一量子点层比所述第二量子点层更靠近所述光源放置,
沿着与所述第一量子点层和所述第二量子点层正交的轴所述多个第二量子点与所述多个第一量子点基本上不重叠,
所述多个第一量子点最小以第一量子点的一个半径间隔开并且所述多个第二量子点最小以第二量子点的一个半径间隔开,并且
所述第一聚合物基体具有所述第一量子点的2以内的折射率并且所述第二聚合物基体具有所述第二量子点的2以内的折射率。
2.权利要求1所述的多层膜,其中所述第一量子点层邻近发蓝光光源设置,并且所述第一量子点层在距离上比所述第二量子点层更靠近发蓝光光源。
3.权利要求1-2任一项所述的多层膜,进一步包括至少第三量子点层,其中
所述第三量子点层邻近所述第二量子点层设置,
所述第三量子点层包括在被由所述光源产生的光激发后发出至少第三二次光的多个至少第三量子点,并且
所述第三量子点层中所述第三二次光的峰值波长低于更靠近所述光源的邻近层中所述第二二次光的所述峰值波长。
4.权利要求1-3任一项所述的多层膜,其中所述第一聚合物基体具有所述第一量子点的0.5以内的折射率并且所述第二聚合物基体具有所述第二量子点的0.5以内的折射率。
5.权利要求1-4任一项所述的多层膜,其中所述多个第一量子点包括具有大约3纳米(nm)至大约11nm的尺寸的量子点。
6.权利要求1-5任一项所述的多层膜,其中所述第一多个量子点包括具有在大约600nm至大约750nm之间的峰值波长的红色荧光体。
7.权利要求1-6任一项所述的多层膜,其中所述第二多个量子点包括尺寸为大约1nm至大约8nm的量子点。
8.权利要求1-7任一项所述的多层膜,其中所述第二多个量子点包括峰值发射波长在大约490nm至大约580nm之间的绿色荧光体。
9.权利要求1-8任一项所述的多层膜,其中所述多个第一量子点和所述多个第二量子点的一个或二者通过印刷工艺、光刻工艺、挤出工艺、溶液浇铸工艺或聚合工艺设置在其各自量子点层中。
10.权利要求1-9任一项所述的多层膜,进一步包括包封所述第一量子点层或所述第二量子点层的一个或多个的一个或多个阻挡层。
11.权利要求1-10任一项所述的多层膜,其中第一聚合物基体或第二聚合物基体的一个或二者包括聚碳酸酯、丙烯酸类(聚甲基丙烯酸甲酯)、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚噻吩、环氧树脂、聚乙烯基、聚二乙炔、聚亚苯基、多肽、多糖、聚硅氧烷、聚苯乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚丙烯酰胺、聚吡咯、聚咪唑、聚磷酸酯聚(N-乙烯基咔唑)、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、由脂族和脂环族异氰酸酯制得的聚氨酯、丁酸酯、(乙二醇改性的聚对苯二甲酸乙二醇酯)、聚(马来酸-alt-十八碳烯)、配体整合的聚降冰片烯、多胺、硫醇化多酚,和官能化离子聚合物,或聚(乙烯基吡咯烷酮)或其组合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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