[发明专利]用于改善的转换效率和色域的量子点膜的多层光学构造在审
| 申请号: | 201880040544.7 | 申请日: | 2018-05-30 |
| 公开(公告)号: | CN110800112A | 公开(公告)日: | 2020-02-14 |
| 发明(设计)人: | 周兵;周昊;C·L·海因 | 申请(专利权)人: | 沙特基础工业全球技术公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G02F1/1335 |
| 代理公司: | 11245 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 尚晓芹 |
| 地址: | 荷兰,贝*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 量子点层 量子点 聚合物基体 聚合物基 体内 光源产生 间隙对准 多层膜 二次光 光激发 正交的 邻近 | ||
多层膜可以包括第一量子点层,该第一量子点层包括第一聚合物基体和在其中设置的多个第一量子点。第二量子点层可以邻近第一量子点层设置并且可以包括第二聚合物基体和在其中设置的多个第二量子点。多个第一量子点可以在第一聚合物基体内彼此间隔开以在其间限定间隙。多个第一量子点在被由光源产生的光激发后可以发出第一二次光。多个第二量子点的至少一部分可以定位为沿着与第一量子点层和第二量子点层正交的轴与第一聚合物基体内限定的间隙对准。
技术领域
本公开内容一般地涉及多层量子点膜,并且更具体地涉及利用量子点膜的方法和结构。
背景技术
量子点(QD)代表着作为一类有希望的发光材料而不断扩大的技术关注的领域。QD的特征在于尺寸为大约2纳米(nm)至大约100nm左右的半导体颗粒并且通常可以被称为纳米晶体。QD在电磁波谱的可见光区域可以展现出较强的发射。然而,使用量子点的某些光学构造或装置可能受到阻碍并且遭受降低的转换效率(例如,由吸收光产生的发射)和色域。也就是说,某些光学构造可能具有发出少于所吸收的光能的量子点,因而可从构造中获得有限的颜色阵列。
通过本公开内容的方面解决了这些和其他缺点。
发明内容
本公开内容涉及用于发光装置的多层膜。根据一个实例,多层膜可以包括第一量子点层,其包括第一聚合物基体和设置在第一聚合物基体中的多个第一量子点。多个第一量子点可以在第一聚合物基体内彼此间隔开以在其间限定间隙。多个第一量子点在由光源产生的光激发后可以发出二次光(例如,发射)。第二量子点层可以邻近第一量子点层设置。第二量子点层可以包括第二聚合物基体和设置在第二聚合物基体中的多个第二量子点。多个第二量子点可以设置在第二聚合物基体中使得沿着与第一量子点层和第二量子点层正交的轴多个第二量子点的至少一部分与在第一聚合物基体中限定的间隙对准。多个第二量子点在由光源产生的光激发后可以发出二次光。在某些方面,可以将第一量子点层放置成比第二量子点层更靠近光源,从而使第一量子层介于光源和第二量子点层之间。
多个第二量子点可以配置为沿着与第一量子点层和第二量子点层正交的轴与多个第一量子点基本上不重叠。第一量子点可以最小以第一量子点的一个半径间隔开并且第二量子点可以最小以第二量子点的一个半径间隔开。第一聚合物基体可以具有在第一量子点的折射率的2以内的折射率并且第二聚合物基体可以具有在第二量子点的折射率的2以内的折射率。
在一些方面,本公开内容涉及包括第一量子点层和第二量子点层的多层膜,每层具有可区分的部分。第一量子点层可以包括第一多个第一部分和第一多个第二部分。第一部分可以包括多个第一量子点并且第二部分可以基本上由第一聚合物基体和一种或多种添加剂组成。多个第一部分和多个第二部分可以以交替的图案设置。作为实例,交替的图案可以在第一量子点之间限定间隔或间隙,其中间隔不包括量子点。
第二量子点层可以邻近第一量子点层设置。第二量子点层可以包括第二多个第一部分和第二多个第二部分。第二多个第一部分可以包括多个第二量子点并且第二多个第二部分可以基本上由第二聚合物基体和一种或多种添加剂组成。第二多个第一部分和第二多个第二部分可以以交替的图案设置。作为实例,交替的图案可以限定在第二量子点之间的间隔或间隙,其中间隔不包括量子点。作为进一步的实例,可以设置第一量子点层的交替部分和第二量子点层的交替部分使得多个第二量子点在正交轴上不与多个第一量子点重叠。
本公开内容还涉及包括所公开的多层膜的制品。
附图说明
通过参考结合附图对本公开内容的一个方面的以下描述,本公开内容的上述和其他特征和优势以及实现它们的方式将变得显而易见并且将被更好地理解,其中:
图1是根据本公开内容的方面的多层膜的横截面的示意图。
图2是根据本公开内容的方面的多层膜的俯视透视图的示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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