[发明专利]用于改善金属氧化物半导体(MOS)变容器品质因数的栅极上的自对准触点(SAC)在审
| 申请号： | 201880040408.8 | 申请日： | 2018-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN110754003A | 公开（公告）日： | 2020-02-04 |
| 发明（设计）人： | 陆叶;岳云;陈全兴;杨斌;戈立新;廖肯 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/93 | 分类号： | H01L29/93;H01L29/66;H01L23/66;H03H11/04;H03H11/34;H01L23/482;H01L21/8234;H01L21/768 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 吕世磊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种短沟道金属氧化物半导体变容器可以包括具有源极过孔触点的第一极性的源极区域。变容器还可以包括具有漏极过孔触点的第一极性的漏极区域。变容器还可以包括在源极区域与漏极区域之间的第一极性的沟道区域。沟道区域可以包括栅极。变容器还可以包括在栅极上并且在源极过孔触点与漏极过孔触点之间的至少一个自对准触点(SAC)。 | ||
| 搜索关键词： | 触点 变容器 沟道区域 漏极区域 源极区域 漏极 源极 金属氧化物半导体 短沟道 自对准 | ||
【主权项】：
1.一种短沟道金属氧化物半导体变容器，包括：/n第一极性的源极区域，包括源极过孔触点；/n所述第一极性的漏极区域，包括漏极过孔触点；/n所述第一极性的沟道区域，在所述源极区域与所述漏极区域之间，所述沟道区域包括栅极；以及/n至少一个自对准触点(SAC)，在所述栅极上并且在所述源极过孔触点与所述漏极过孔触点之间。/n
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