[发明专利]用于改善金属氧化物半导体(MOS)变容器品质因数的栅极上的自对准触点(SAC)

权利要求书

1.一种短沟道金属氧化物半导体变容器，包括：

第一极性的源极区域，包括源极过孔触点；

所述第一极性的漏极区域，包括漏极过孔触点；

所述第一极性的沟道区域，在所述源极区域与所述漏极区域之间，所述沟道区域包括栅极；以及

至少一个自对准触点(SAC)，在所述栅极上并且在所述源极过孔触点与所述漏极过孔触点之间。

2.根据权利要求1所述的短沟道金属氧化物半导体变容器，其中所述至少一个SAC包括多个自对准触点(MSAC)。

3.根据权利要求1所述的短沟道金属氧化物半导体变容器，其中所述至少一个SAC的形状为圆柱形或正方形。

4.根据权利要求1所述的短沟道金属氧化物半导体变容器，其中所述至少一个SAC延伸所述源极过孔触点与所述漏极过孔触点之间的整个长度。

5.根据权利要求1所述的短沟道金属氧化物半导体变容器，其中所述至少一个SAC包括铜(Cu)、钨(W)、镍(Ni)、铝(Al)、金(Au)、银(Ag)、钛(Ti)或石墨烯。

6.根据权利要求1所述的短沟道金属氧化物半导体变容器，其中所述至少一个SAC的宽度大于所述栅极的长度。

7.根据权利要求1所述的短沟道金属氧化物半导体变容器，被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元和/或固定位置数据单元中。

8.一种射频(RF)前端模块，包括：

滤波器，包括：管芯，支撑所述管芯的衬底，围绕所述管芯的模制化合物；短沟道金属氧化物半导体(MOS)变容器，包括：包括源极过孔触点的第一极性的源极区域，包括漏极过孔触点的所述第一极性的漏极区域，在所述源极区域与所述漏极区域之间的所述第一极性的沟道区域，所述沟道区域包括栅极，以及在所述栅极上并且在所述源极过孔触点与所述漏极过孔触点之间的至少一个自对准触点(SAC)；以及

天线，被耦合到所述滤波器的输出。

9.根据权利要求8所述的RF前端模块，其中所述至少一个SAC包括多个自对准触点(MSAC)。

10.根据权利要求8所述的RF前端模块，其中所述至少一个SAC的形状是圆柱形或正方形。

11.根据权利要求8所述的RF前端模块，其中所述至少一个SAC延伸所述源极过孔触点与所述漏极过孔触点之间的整个长度。

12.根据权利要求8所述的RF前端模块，其中所述至少一个SAC包括铜(Cu)、钨(W)、镍(Ni)、铝(Al)、金(Au)、银(Ag)、钛(Ti)或石墨烯或石墨烯。

13.根据权利要求8所述的RF前端模块，被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元和/或固定位置数据单元中。

14.一种制造短沟道金属氧化物半导体变容器的方法，包括：

将源极过孔触点耦合到第一极性的源极区域；

将漏极过孔触点耦合到所述第一极性的漏极区域；以及

在所述第一极性的沟道区域上的栅极上制造至少一个自对准触点(SAC)，所述至少一个SAC设置在所述源极过孔触点与所述漏极过孔触点之间。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述短沟道金属氧化物半导体变容器被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元和/或固定位置数据单元中。