[发明专利]用于改善金属氧化物半导体(MOS)变容器品质因数的栅极上的自对准触点(SAC)

说明书

一种短沟道金属氧化物半导体变容器可以包括具有源极过孔触点的第一极性的源极区域。变容器还可以包括具有漏极过孔触点的第一极性的漏极区域。变容器还可以包括在源极区域与漏极区域之间的第一极性的沟道区域。沟道区域可以包括栅极。变容器还可以包括在栅极上并且在源极过孔触点与漏极过孔触点之间的至少一个自对准触点(SAC)。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年6月19日提交的题为“SELF-ALIGNED CONTACT(SAC)ON GATEFOR IMPROVING METAL OXIDE SEMICONDUCTOR(MOS)VARACTOR QUALITY FACTOR”的美国临时专利申请号62/522,002的权益，其公开内容通过整体引用明确地并入本文。

技术领域

本公开的各方面涉及半导体器件，并且更具体地涉及用于改善金属氧化物半导体(MOS)变容器品质(Q)因数的自对准栅极触点。

背景技术

移动射频(RF)芯片设计(例如，移动RF收发器)由于使用无源器件而变得复杂，无源器件直接影响模拟/RF性能考虑因素，包括失配、噪声和其他性能考虑因素。无源器件可以包含高性能电感器和电容器部件。例如，RF模块(例如，RF前端(RFFE)模块)可以包括被布置为形成滤波器和其他RF器件的电感器(L)和电容器(C)。可以选择这些无源器件的布置以改善器件性能，同时抑制不想要的噪声(例如，人工谐波)以支持高级RF应用。

移动RF收发器的设计可以包括将压控电容和/或可调谐电容器(例如，变容器)用于高级RF应用。例如，可调谐电容器可以在高级RF应用的RF电路中提供RF和阻抗匹配。在这些高级RF技术中，期望具有高品质(Q)因数的短栅极长度(Lg)或短沟道MOS变容器。不幸的是，由于栅极电阻增加，短沟道/栅极长度MOS变容器可能会表现出不良的品质因数。

发明内容

一种短沟道金属氧化物半导体变容器可以包括具有源极过孔触点的第一极性的源极区域。变容器还可以包括具有漏极过孔触点的第一极性的漏极区域。变容器还可以包括在源极区域与漏极区域之间的第一极性的沟道区域。沟道区域可以包括栅极。变容器还可以包括在栅极上并且在源极过孔触点与漏极过孔触点之间的至少一个自对准触点(SAC)。

一种射频(RF)前端模块可以包括具有管芯的滤波器。衬底可以支撑管芯。模制化合物可以围绕管芯。RF前端模块还可以包括短沟道金属氧化物半导体(MOS)变容器，变容器包括具有源极过孔触点的第一极性的源极区域。变容器还可以包括具有漏极过孔触点的第一极性的漏极区域。变容器还可以包括在源极区域与漏极区域之间的第一极性的沟道区域。沟道区域可以包括栅极。变容器还可以包括在栅极上并且在源极过孔触点与漏极过孔触点之间的至少一个自对准触点(SAC)。天线可以被耦合到滤波器的输出。

一种制造短沟道金属氧化物半导体变容器的方法可以包括将源极过孔触点耦合到第一极性的源极区域。该方法还可以包括将漏极过孔触点耦合到第一极性的漏极区域。该方法还可以包括在第一极性的沟道区域上的栅极上制造至少一个自对准触点(SAC)。至少一个SAC可以设置在源极过孔触点与漏极过孔触点之间。

一种短沟道金属氧化物半导体变容器可以包括具有源极过孔触点的第一极性的源极区域。变容器还可以包括具有漏极过孔触点的第一极性的漏极区域。变容器还可以包括在源极区域与漏极区域之间的第一极性的沟道区域。沟道区域可以包括栅极。变容器还可以包括用于接触栅极的装置。栅极接触装置可以在源极过孔触点与漏极过孔触点之间。