[发明专利]用于先进封装应用的再分布层形成的方法有效
| 申请号： | 201880039885.2 | 申请日： | 2018-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN110741471B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 陈翰文;史蒂文·韦尔韦贝克;罗曼·古科;关惠见;于谷;阿尔文·桑德拉扬 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/28;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开内容的实施方式总体描述使用压印光刻形成一个或多个装置端子再分布层的方法。本文公开的方法使得能够以低于常规光刻和蚀刻工艺的成本形成高深宽比的互连结构。另外，本文所述的工艺和方法令人满意地去除、减少和/或大体上消除在聚合物沉积工艺期间或在聚合物沉积工艺之后形成的周围聚合物层中的空隙。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 先进 封装 应用 再分 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成再分布层的方法，包含以下步骤：/n将聚合物沉积至重组基板的表面上，所述重组基板包含设置在模塑化合物中的复数个装置；/n将所述聚合物加热至约120℃与约150℃之间；/n将图案压印至所述聚合物中以在所述聚合物中形成复数个开口；和/n在压印所述图案后将所述聚合物加热至约250℃与约400℃之间。/n
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