[发明专利]用于先进封装应用的再分布层形成的方法

权利要求书

1.一种用于形成再分布层的方法，包含以下步骤：

将聚合物沉积至重组基板的表面上，所述重组基板包含设置在模塑化合物中的复数个装置；

将所述聚合物加热至约120℃与约150℃之间；

将图案压印至所述聚合物中以在所述聚合物中形成复数个开口；和

在压印所述图案后将所述聚合物加热至约250℃与约400℃之间。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述聚合物包含聚酰亚胺。

3.如权利要求2所述的方法，其中将所述图案压印至所述聚合物中的步骤包含以下步骤：将压印印模加热至约200℃与约300℃之间。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述聚合物包含光敏聚酰亚胺。

5.如权利要求4所述的方法，其中将所述图案压印至所述聚合物中的步骤包含以下步骤：使所述聚合物经由压印印模暴露于紫外线辐射。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述重组基板进一步包含设置在所述复数个装置上的先前形成的再分布层，所述先前形成的再分布层包含介电聚合物层，所述介电聚合物层具有设置在所述介电聚合物层中的复数个金属互连，其中所述先前形成的再分布层的表面已经平面化以从所述先前形成的再分布层的所述表面去除籽晶层和金属层的多个部分。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述介电聚合物层包含聚酰亚胺。

8.一种封装方法，包含以下步骤：

将聚合物沉积至载体基板的第一表面上；

将图案压印至所述聚合物中以形成聚合物层，所述聚合物层具有穿过所述聚合物层的复数个开口；和

在所述聚合物层中形成复数个金属互连，包含以下步骤：

将籽晶层沉积至所述载体基板和在所述载体基板上形成的所述聚合物层上；

在所述籽晶层上形成铜层；和

从所述聚合物层的第二表面去除所述籽晶层和所述铜层的多个部分。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述聚合物层包含聚酰亚胺。

10.如权利要求9所述的方法，进一步包含以下步骤：在压印所述图案后将所述聚合物层加热至约250℃与约400℃之间。

11.如权利要求9所述的方法，其中所述载体基板包含：结构基底，所述结构基底由玻璃或刚性聚合物形成；释放层，所述释放层设置在所述结构基底上，并且所述聚合物沉积在所述释放层上。

12.如权利要求9所述的方法，其中压印所述聚合物的步骤包含以下步骤：将压印印模加热至大于约340℃。

13.一种封装方法，其包含以下步骤：

将聚酰亚胺沉积至基板上；

将所述聚酰亚胺加热至约120℃与约150℃之间；

压印所述聚酰亚胺以形成介电层，所述介电层具有穿过所述介电层的复数个开口；和

在压印所述聚酰亚胺后将所述介电层加热至约250℃与约400℃之间。

14.如权利要求13所述的方法，其中压印所述聚酰亚胺的步骤包含以下步骤：将压印印模加热至约200℃与约300℃之间，并且其中压印所述聚酰亚胺的步骤发生在小于约大气压力的环境中。

15.如权利要求14所述的方法，其中压印所述聚酰亚胺的步骤包含以下步骤：使所述聚酰亚胺经由压印印模暴露于紫外线辐射。