[发明专利]用于先进封装应用的再分布层形成的方法

说明书

本公开内容的实施方式总体描述使用压印光刻形成一个或多个装置端子再分布层的方法。本文公开的方法使得能够以低于常规光刻和蚀刻工艺的成本形成高深宽比的互连结构。另外，本文所述的工艺和方法令人满意地去除、减少和/或大体上消除在聚合物沉积工艺期间或在聚合物沉积工艺之后形成的周围聚合物层中的空隙。

背景

技术领域

本文所述的实施方式总体涉及半导体的领域，并且更具体而言涉及封装半导体装置的方法。

背景技术

随着下一代半导体装置的电路密度增加和装置尺寸减小，提供到这些装置的外部连接(即布线)需要先进的封装技术。一种这样的封装技术是晶片级封装。

晶片级封装通过在晶片级上整合装置制造、封装组件(package assembly)(封装)、电测试和可靠性测试(老化)简化半导体装置的制造和封装工艺，其中形成封装的顶层和底层、产生I/O连接和测试所封装的装置都在将装置单切(singulate)成个别封装的部件之前执行。晶片级封装的优点包括降低所得装置的总体制造成本、减小包装尺寸和改善电和热性能。然而，典型的晶片级封装方案将可对半导体装置制作的I/O连接的数量限制于可散布在裸片表面上方的I/O端子的数量。扇出型晶片级封装保留晶片级封装的优点，同时通过使用一个或多个再分布层将I/O端子再分布至裸片表面外部的区域来增加可用于I/O端子的面积。

扇出型晶片级封装工艺要求用于每一个别裸片的I/O端子再分布层的表面积大于个别裸片自身的表面积。然而，因为最好是最大化晶片上装置(裸片)的数量以最小化制造装置期间的成本，所以个别装置之间的空间(切割线)通常仅大至足够适应切割锯的宽度，所述切割锯用于将晶片切割成晶片的个别裸片。一种在裸片表面外部产生期望的额外表面区域的方法是形成具有以间隔开的图案再分布的裸片的新晶片，称为重组基板。

典型地，为形成重组基板，将晶片分割成个别裸片，所述裸片然后彼此间隔开地定位于模塑板(载体基板)上并且通过粘附层暂时固定到所述模塑板。将模塑化合物分配至载体基板和固定于载体基板的裸片上，并随后固化，这将间隔开的裸片嵌入于模塑化合物中以形成重组基板。然后通过去除粘附层来暴露裸片的端子侧，并且随后在重组基板上形成再分布层(所述再分布层具有设置在所述再分布层中的互连)，以使装置的I/O端子的一部分或全部再分布至裸片表面外部的区域，这增加可用于I/O连接的区域并且因此增加可能的I/O端子的数量。

与形成重组基板相关的工艺缺陷(诸如裸片在重组基板内从裸片在粘附层上的原始放置位置的不希望的位置改变，也称为裸片移位)导致在随后形成的再分布层中的过孔互连与裸片上的电接触之间未对准。另外，再分布层典型地使用常规光刻和蚀刻工艺形成，这些工艺昂贵、设备密集并且耗时。

因此，本领域需要用于扇出型晶片级封装方案的形成重组基板和设置在重组基板上的再分布层的方法。

发明内容

本文的实施方式总体涉及装置封装工艺，并且具体而言涉及在扇出型晶片级封装工艺中在重组基板上形成再分布层的方法。

在一个实施方式中，提供用于形成再分布层的方法。所述方法包括使聚合物沉积到重组基板的表面上，所述重组基板包含设置在模塑化合物中的复数个装置，将聚合物加热至约120℃与约150℃之间，将图案压印到聚合物中以在所述聚合物中形成复数个开口，和在压印图案后将聚合物加热至约250℃与约400℃之间。

在另一实施方式中，提供封装方法。所述方法包括将聚合物沉积到载体基板的第一表面上，将图案压印到聚合物中以形成聚合物层，所述聚合物层具有穿过所述聚合物层的复数个开口，和形成设置在聚合物层中的复数个金属互连。在本文中，形成复数个金属互连包含将籽晶层沉积到载体基板和在载体基板上形成的聚合物层上，在籽晶层上形成铜层，和从聚合物层的第二表面去除籽晶层和铜层的多个部分。