[发明专利]用于制备锗-硅-层的三苯基甲锗烷基甲硅烷和三氯甲硅烷基-三氯甲锗烷及其制备方法有效
| 申请号： | 201880035956.1 | 申请日： | 2018-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN110799458B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | J.泰希曼;M.瓦格纳;H-W.莱尔纳 | 申请（专利权）人： | 赢创运营有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/04 | 分类号： | C01B33/04;C01B33/06;C01B33/107;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张华;周齐宏 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
用于制备锗‑硅‑层(Ge‑Si)或作为甲硅烷基团(SiH |
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| 搜索关键词： | 用于 制备 苯基 烷基 硅烷 三氯甲 三氯甲锗烷 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.三苯基甲锗烷基甲硅烷(Ph
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