[发明专利]用于制备锗-硅-层的三苯基甲锗烷基甲硅烷和三氯甲硅烷基-三氯甲锗烷及其制备方法有效
| 申请号: | 201880035956.1 | 申请日: | 2018-05-23 |
| 公开(公告)号: | CN110799458B | 公开(公告)日: | 2023-05-26 |
| 发明(设计)人: | J.泰希曼;M.瓦格纳;H-W.莱尔纳 | 申请(专利权)人: | 赢创运营有限公司 |
| 主分类号: | C01B33/04 | 分类号: | C01B33/04;C01B33/06;C01B33/107;H01L21/205 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张华;周齐宏 |
| 地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 制备 苯基 烷基 硅烷 三氯甲 三氯甲锗烷 及其 方法 | ||
1.三苯基甲锗烷基甲硅烷(Ph3Ge-SiH3)。
2.用于制备三苯基甲锗烷基甲硅烷的方法,其中将三氯甲硅烷基三苯基甲锗烷溶解在溶剂中,并添加氢化物还原,由此得到产物溶液。
3.根据权利要求2的方法,其特征在于,使用乙醚作为溶剂。
4.根据权利要求2或3的方法,其特征在于,使用氢化铝锂作为氢化物。
5.根据权利要求2或3的方法,其特征在于,所述氢化物以在2:1-1:2的范围的与Ph3Ge-SiCl3的摩尔比率来使用。
6.根据权利要求2或3的方法,其特征在于,使原料的混合物在5℃-30℃的温度下反应历经1-24小时的时间。
7.根据权利要求2或3的方法,其特征在于,从产物溶液中分离固体成分,然后除去溶剂,并且作为结晶产物获得三苯基甲锗烷基甲硅烷。
8.根据权利要求2或3的方法,其特征在于,原料三氯甲硅烷基三苯基甲锗烷由Ph3GeCl与Si2Cl6的反应获得。
9.根据权利要求2或3的方法,其特征在于,所述氢化物以在1:1的与Ph3Ge-SiCl3的摩尔比率来使用。
10.根据权利要求2或3的方法,其特征在于,从产物溶液中分离固体成分,然后在减压下除去溶剂,并且作为结晶产物获得三苯基甲锗烷基甲硅烷。
11.根据权利要求1的或根据权利要求2-10中任一项的方法制备的三苯基甲锗烷基甲硅烷用于制备GeSi层或作为SiH3基团的转移剂的用途。
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