[发明专利]具有贯穿衬底通孔核心的三维互连多裸片电感器有效
| 申请号： | 201880035169.7 | 申请日： | 2018-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN110678996B | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 凯尔·K·柯比 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H10N97/00 | 分类号： | H10N97/00;H01L23/48;H01L25/07 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，其具有第一裸片及第二裸片。所述装置的所述第一裸片包含：第一表面；及贯穿衬底通孔TSV，其至少基本上延伸穿过所述第一裸片，所述TSV具有延伸超过所述第一表面的部分。所述第一裸片进一步包含围绕所述TSV安置的第一基本上螺旋形导体。所述装置的所述第二裸片包含：第二表面；开口；其位于所述第二表面中，所述TSV的所述部分经安置在所述开口中；及第二基本上螺旋形导体，其围绕所述开口安置。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 贯穿 衬底 核心 三维 互连 多裸片 电感器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其包括：/n第一裸片，其包含：/n第一表面，/n贯穿衬底通孔TSV，其至少基本上延伸穿过所述第一裸片，所述TSV具有延伸超过所述第一表面的部分，及/n第一基本上螺旋形导体，其围绕所述TSV安置；及/n第二裸片，其包含：/n第二表面，/n开口，其位于所述第二表面中，所述TSV的所述部分经安置在所述开口中，及/n第二基本上螺旋形导体，其围绕所述开口安置。/n
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